BPX 84 OSRAM Opto Semiconductors Inc, BPX 84 Datasheet

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BPX 84

Manufacturer Part Number
BPX 84
Description
Photodetector Transistors PHOTOTRANSISTOR
Manufacturer
OSRAM Opto Semiconductors Inc
Type
Arrayr
Datasheet

Specifications of BPX 84

Maximum Power Dissipation
90 mW
Maximum Dark Current
50 nA
Maximum Operating Temperature
+ 80 C
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Package / Case
Multiple Digit Array
Phototransistor Type
Phototransistor
Polarity
NPN
Number Of Elements
3
Lens Type
Transparent
Collector-emitter Voltage
35V
Collector Current (dc) (max)
50mA
Collector-emitter Sat Volt (max)
0.15V
Dark Current (max)
50nA
Light Current
320uA
Power Dissipation
90mW
Peak Wavelength
850nm
Half-intensity Angle
36deg
Operating Temp Range
-40C to 80C
Operating Temperature Classification
Commercial
Mounting
Through Hole
Pin Count
6
Package Type
Multiple-digit Array
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
Q62702P0030
NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen
Silicon NPN Phototransistor Arrays
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
BPX 80
BPX 82 … 89
Wesentliche Merkmale
• Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
• Hohe Linearität
• Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy
• Gruppiert lieferbar
Anwendungen
• Miniaturlichtschranken für Gleich- und
• Industrieelektronik
• „Messen/Steuern/Regeln“
Typ
Type
BPX 82
BPX 83
BPX 84
BPX 85
BPX 86
BPX 87
BPX 88
BPX 89
BPX 80
2007-04-04
von 450 nm bis 1100 nm
Wechsellichtbetrieb
Bestellnummer
Ordering Code
Q62702P0021
Q62702P0025
Q62702P0030
Q62702P0031
Q62702P0022
Q62702P0032
Q62702P0033
Q62702P0026
Q62702P0028
Fotostrom ,
Photocurrent
I
> 0.32
> 0.32
> 0.32
> 0.32
> 0.32
> 0.32
> 0.32
> 0.32
> 0.32
PCE
(mA)
1
Features
• Especially suitable for applications from
• High linearity
• Multiple-digit array package of transparent
• Available in groups
Applications
• Miniature photointerrupters
• Industrial electronics
• For control and drive circuits
450 nm to 1100 nm
epoxy
E
e
= 0.5 mW/cm
2
, λ = 950 nm
, V
CE
= 5 V

Related parts for BPX 84

BPX 84 Summary of contents

Page 1

... Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy • Gruppiert lieferbar Anwendungen • Miniaturlichtschranken für Gleich- und Wechsellichtbetrieb • Industrieelektronik • „Messen/Steuern/Regeln“ Typ Bestellnummer Type Ordering Code BPX 82 Q62702P0021 BPX 83 Q62702P0025 BPX 84 Q62702P0030 BPX 85 Q62702P0031 BPX 86 Q62702P0022 BPX 87 Q62702P0032 BPX 88 Q62702P0033 BPX 89 Q62702P0026 BPX 80 Q62702P0028 2007-04-04 Features • ...

Page 2

Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Kollektor-Emitterspannung Collector-emitter voltage Kollektorstrom Collector current Kollektorspitzenstrom, τ < 10 μs Collector surge current = 25 °C Verlustleistung Total power dissipation Wärmewiderstand Thermal resistance 2007-04-04 ...

Page 3

T Kennwerte ( A Characteristics Bezeichnung Parameter Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit 10% von max Spectral range of sensitivity 10% ...

Page 4

Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit Buchstaben gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by alphabetic characters. Bezeichnung Parameter Fotostrom Photocurrent , λ = 950 0.5 mW/cm E ...

Page 5

Relative Spectral Sensitivity (λ) rel 100 % 90 Srel 400 500 600 700 800 900 1000 1100 nm lambda Photocurrent ...

Page 6

Maßzeichnung Package Outlines Maß (inch) / Dimensions in mm (inch). . Transistoren pro Zeile Number of Transistors per Array 2007-04-04 Chip position 7.4 (0.291) 7.0 (0.276) 0.5 (0.020) 0.4 ...

Page 7

Lötbedingungen Soldering Conditions Wellenlöten (TTW) TTW Soldering 300 C 250 T 235 C ... 260 C 200 1. Welle 1. wave 150 ca 200 K/s 100 C ... 130 C 100 Published by OSRAM Opto Semiconductors ...

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