TIP31G ON Semiconductor, TIP31G Datasheet

TRANS NPN 3A 40V HI PWR TO220AB

TIP31G

Manufacturer Part Number
TIP31G
Description
TRANS NPN 3A 40V HI PWR TO220AB
Manufacturer
ON Semiconductor
Datasheet

Specifications of TIP31G

Transistor Type
NPN
Current - Collector (ic) (max)
3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (max)
40V
Vce Saturation (max) @ Ib, Ic
1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (max)
300µA
Dc Current Gain (hfe) (min) @ Ic, Vce
10 @ 3A, 4V
Power - Max
2W
Frequency - Transition
3MHz
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3 (Straight Leads)
Transistor Polarity
NPN
Mounting Style
Through Hole
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
40 V
Emitter- Base Voltage Vebo
5 V
Maximum Dc Collector Current
3 A
Power Dissipation
40 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Continuous Collector Current
3 A
Dc Collector/base Gain Hfe Min
25
Gain Bandwidth Product Ft
3 MHz
Maximum Operating Frequency
3 MHz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
TIP31GOS
TIP31, TIP31A, TIP31B,
TIP31C, (NPN), TIP32,
TIP32A, TIP32B, TIP32C,
(PNP)
Complementary Silicon
Plastic Power Transistors
Designed for use in general purpose amplifier and switching
applications.
Features
Collector−Emitter Saturation Voltage −
V
= 1.2 Vdc (Max) @ I
CE(sat)
Collector−Emitter Sustaining Voltage −
V
= 40 Vdc (Min) − TIP31, TIP32
CEO(sus)
= 60 Vdc (Min) − TIP31A, TIP32A
= 80 Vdc (Min) − TIP31B, TIP32B
= 100 Vdc (Min) − TIP31C, TIP32C
High Current Gain − Bandwidth Product
f
= 3.0 MHz (Min) @ I
T
Compact TO−220 AB Package
Pb−Free Packages are Available*
MAXIMUM RATINGS
Rating
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector − Emitter Voltage
TIP31, TIP32
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
TIP31A, TIP32A
TIP31B, TIP32B
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
TIP31C, TIP32C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector−Base Voltage
TIP31, TIP32
TIP31A, TIP32A
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
TIP31B, TIP32B
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
TIP31C, TIP32C
Emitter−Base Voltage
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Collector Current
Continuous
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Peak
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Base Current
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Total Power Dissipation
@ T
= 25°C
C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Derate above 25°C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Total Power Dissipation
@ T
= 25°C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
A
Derate above 25°C
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Unclamped Inductive Load Energy (Note 1)
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Operating and Storage Junction
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Temperature Range
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. I
= 1.8 A, L = 20 mH, P.R.F. = 10 Hz, V
C
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2008
December, 2008 − Rev. 12
= 3.0 Adc
C
= 500 mAdc
C
Symbol
Value
Unit
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
40
Vdc
CEO
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
60
80
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
100
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
40
Vdc
CB
60
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
80
100
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
V
5.0
Vdc
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
EB
I
3.0
Adc
C
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
5.0
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
I
1.0
Adc
B
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
P
D
40
W
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
0.32
W/°C
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
P
D
Î Î Î Î
Î Î Î
2.0
Î Î Î
W
0.016
W/°C
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
E
32
mJ
Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
T
, T
– 65 to
°C
J
stg
Î Î Î Î
Î Î Î
+ 150
Î Î Î
Î Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
= 10 V, R
= 100 W
CC
BE
1
http://onsemi.com
3 AMPERE
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY SILICON
40−60−80−100 VOLTS,
40 WATTS
MARKING
DIAGRAM
4
TO−220AB
CASE 221A
TIP3xxG
STYLE 1
AYWW
1
PIN 1. BASE
2
2. COLLECTOR
3
3. EMITTER
4. COLLECTOR
TIP3xx
= Device Code
xx
= 1, 1A, 1B, 1C,
2, 2A, 2B, 2C,
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW
= Work Week
G
Pb−Free Package
ORDERING INFORMATION
See detailed ordering and shipping information in the package
dimensions section on page 2 of this data sheet.
Publication Order Number:
TIP31A/D

Related parts for TIP31G

TIP31G Summary of contents

Page 1

... Recommended Operating Conditions may affect device reliability 1 mH, P.R. Hz *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2008 December, 2008 − Rev 3.0 Adc ...

Page 2

... Pulse Test: Pulse Width v 300 ms, Duty Cycle v 2.0%. ORDERING INFORMATION Device TIP31 TIP31G TIP31A TIP31AG TIP31B TIP31BG TIP31C ...

Page 3

4.0 30 3.0 20 2 TURN−ON PULSE V CC APPROX + EB(off APPROX + ≤ 7.0 ...

Page 4

D = 0.5 0.5 0.3 0.2 0.2 0.1 0.1 0.05 0.07 0.05 0.02 0.03 0.02 0.01 SINGLE PULSE 0.01 0.01 0.02 0.05 1.0 0.2 10 5.0 5.0 ms 2.0 SECONDARY BREAKDOWN 1.0 ≤ 150°C LIMITED @ T J ...

Page 5

T = 150°C J 25°C 100 70 - 55° 7.0 5.0 0.03 0.05 0.07 0.1 0.3 0 COLLECTOR CURRENT (AMP) C Figure 8. DC Current Gain 1 25°C J 1.2 1.0 ...

Page 6

... Opportunity/Affirmative Action Employer. This literature is subject to all applicable copyright laws and is not for resale in any manner. PUBLICATION ORDERING INFORMATION LITERATURE FULFILLMENT: Literature Distribution Center for ON Semiconductor P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA Phone: 303−675−2175 or 800−344−3860 Toll Free USA/Canada Fax: 303− ...

Related keywords