ATP104-TL-H SANYO, ATP104-TL-H Datasheet - Page 3

MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK

ATP104-TL-H

Manufacturer Part Number
ATP104-TL-H
Description
MOSFET P-CH 30V 75A ATPAK
Manufacturer
SANYO
Datasheet

Specifications of ATP104-TL-H

Fet Type
MOSFET P-Channel, Metal Oxide
Fet Feature
Logic Level Gate
Rds On (max) @ Id, Vgs
8.4 mOhm @ 38A, 10V
Drain To Source Voltage (vdss)
30V
Current - Continuous Drain (id) @ 25° C
75A
Gate Charge (qg) @ Vgs
76nC @ 10V
Input Capacitance (ciss) @ Vds
3950pF @ 10V
Power - Max
60W
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
ATPAK (2 leads+tab)
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
-30V
On Resistance Rds(on)
6.4mohm
Rds(on) Test Voltage Vgs
-10V
Voltage Vgs Max
20V
Transistor Case Style
ATPAK
No. Of Pins
3
Current Id
RoHS Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Vgs(th) (max) @ Id
-
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant
Other names
869-1074-2

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
ATP104-TL-H
Manufacturer:
ON Semiconductor
Quantity:
1 050
1000
100
100
--75
--70
--65
--60
--55
--50
--45
--40
--35
--30
--25
--20
--15
--10
1.0
10
10
--5
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
--0.1
--0.1
0
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
8
6
4
2
0
0
V DD = --15V
V GS = --10V
I D = --19A
2
2
--2
3
3
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
--0.5
5 7
5 7
--4
--38A
R DS (on) -- V GS
--1.0
Drain Current, I D -- A
--1.0
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
--6
I D -- V DS
|
y
2
2
fs | -- I D
t d (on)
--1.0
--8
3
3
5 7
5 7
--10
--10
--10
--1.5
--12
V GS = --3.5V
2
2
Tc=25 ° C
Single pulse
V DS = --10V
3
3
Tc=25 ° C
--14
IT14388
IT14390
IT14392
IT14394
5 7
5 7
--100
--100
--2.0
--16
ATP104
--0.001
10000
--0.01
--100
1000
--100
--1.0
--0.1
--10
--90
--80
--70
--60
--50
--40
--30
--20
--10
18
16
14
12
10
--0.2
0
0
8
6
4
2
--50
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
V DS = --10V
V GS =0V
Single pulse
--0.5
--25
--0.4
--5
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
--1.0
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Cutoff Voltage, V GS (off) -- V
0
Case Temperature, Tc -- ° C
--1.5
--0.6
--10
R DS (on) -- Tc
I D -- V GS (off)
25
I S -- V SD
--2.0
--0.8
--15
50
--2.5
75
--3.0
--1.0
--20
100
--3.5
No. A1406-3/4
Single pulse
--1.2
--25
f=1MHz
125
--4.0
IT14389
IT14391
IT14393
IT14395
--4.5
--1.4
150
--30

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