ATP108-TL-H SANYO, ATP108-TL-H Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: ATP108-TL-H
• Description: MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
• Manufacturer: SANYO

Specifications of ATP108-TL-H

• Fet Type: MOSFET P-Channel, Metal Oxide
• Fet Feature: Logic Level Gate
• Rds On (max) @ Id, Vgs: 10.4 mOhm @ 35A, 10V
• Drain To Source Voltage (vdss): 40V
• Current - Continuous Drain (id) @ 25° C: 70A
• Gate Charge (qg) @ Vgs: 79.5nC @ 10V
• Input Capacitance (ciss) @ Vds: 3850pF @ 20V
• Power - Max: 60W
• Mounting Type: Surface Mount
• Package / Case: ATPAK (2 leads+tab)
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant
• Vgs(th) (max) @ Id: -
• Other names: 869-1076-2; ATP108-SPL

1000
100
100
--90
--80
--70
--60
--50
--40
--30
--20
--10
1.0
10
10
24
22
20
18
16
14
12
10
--0.1
--0.1
0
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
8
6
4
--2
0
Tc=25 ° C
Single pulse
--0.2
2
2
--4
3
3
--35A
--0.4
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
I D = --18A
5 7
5 7
--0.6 --0.8 --1.0
--6
R DS (on) -- V GS
--1.0
Drain Current, I D -- A
--1.0
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
I D -- V DS
|
y
--8
2
fs | -- I D
2
t d (on)
3
3
--10
5 7
5 7
--1.2 --1.4
--10
--10
--12
2
2
V DD = --20V
V GS = --10V
--1.6
V DS = --10V
Single pulse
Tc=25 ° C
Single pulse
3
3
--14
--1.8
IT15180
IT15182
IT15184
IT15186
5 7
5 7
--100
--100
--2.0
--16
ATP108
--0.001
10000
--0.01
--100
1000
--100
--1.0
--0.1
--10
--90
--80
--70
--60
--50
--40
--30
--20
--10
25
20
15
10
0
0
5
0
--50
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
0
V DS = --10V
Single pulse
V GS =0V
Single pulse
--0.5
--25
--5
--0.2
Ciss, Coss, Crss -- V DS
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
--1.0
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
--10
0
--0.4
Case Temperature, Tc -- ° C
--1.5
R DS (on) -- Tc
--15
25
I D -- V GS
I S -- V SD
--0.6
--2.0
--20
50
--2.5
--0.8
--25
75
--3.0
--1.0
100
--30
--3.5
No. A1604-3/4
Single pulse
--1.2
f=1MHz
125
--35
--4.0
IT15181
IT15183
IT15185
IT15187
--4.5
--1.4
150
--40