FZ800R12KF4 Eupec GmbH, FZ800R12KF4 Datasheet
FZ800R12KF4
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FZ800R12KF4 Summary of contents
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Marketing Information FZ 800 screwing depth max European Power- Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG 61,5 M8 130 114 ...
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FZ 800 R 12 KF4 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter ...
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... Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) T 2000 125 °C 25 ° 1600 [ A ] 1200 800 400 FZ800R12KF4 Bild/Fig. 4 Rückwärts-Arbeitsbereich Reverse biased safe operating area 800 R12 KF4 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 = 125 °C vj 200 400 600 800 = 125 ° 1 ...
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... Transient thermal impedance per arm (DC) 1600 1400 Diode 1200 IGBT 1000 800 600 400 200 - 0.5 1.0 1.5 2.0 FZ800R12KF4 Bild/Fig. 6 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of the inverse diode (typical ° 125 ° 800 R12 KF4 2.5 3 ...