PMD9003D NXP Semiconductors, PMD9003D Datasheet - Page 8
![no-image](/images/manufacturer_photos/0/4/487/nxp_semiconductors_sml.jpg)
PMD9003D
Manufacturer Part Number
PMD9003D
Description
Low Vcesat Biss Transistors
Manufacturer
NXP Semiconductors
Datasheet
1.PMD9003D.pdf
(15 pages)
NXP Semiconductors
PMD9003D_1
Product data sheet
Fig 5. TR1: DC current gain as a function of collector
Fig 7. TR1: On-state input voltage as a function of
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
h
(V)
I(on)
10
FE
10
10
10
10
1
1
3
2
10
1
10
V
current; typical values
V
collector current; typical values
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
CE
1
1
= 5 V
= 0.3 V
= 150 C
= 25 C
= 40 C
= 40 C
= 25 C
= 100 C
1
1
(1)
(2)
(3)
10
10
(1)
(2)
(3)
I
I
C
C
006aaa034
(mA)
006aaa036
(mA)
Rev. 01 — 24 November 2006
10
10
2
2
Fig 6. TR1: Collector-emitter saturation voltage as a
Fig 8. TR1: Off-state input voltage as a function of
V
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
CEsat
(V)
(V)
I(off)
10
10
10
10
1
1
1
2
1
10
I
function of collector current; typical values
V
collector current; typical values
C
1
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
/I
2
B
= 5 V
= 20
= 100 C
= 25 C
= 40 C
= 40 C
= 25 C
= 100 C
(1)
(2)
(3)
10
1
10
(1)
(2)
(3)
PMD9003D
1
I
C
(mA)
I
© NXP B.V. 2006. All rights reserved.
C
(mA)
006aaa035
006aaa037
MOSFET driver
10
10
2
8 of 15