PEMD9 Philips Semiconductors (Acquired by NXP), PEMD9 Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: PEMD9
• Description: PEMD9; Npn/pnp Resistor-equipped Transistors; R1 = 10 Kohm, R2 = 47 KOhm;; Package: SOT666 (SS-Mini)
• Manufacturer: Philips Semiconductors (Acquired by NXP)

Philips Semiconductors
2002 Sep 05
handbook, halfpage
handbook, halfpage
NPN/PNP resistor-equipped transistors;
R1 = 10 k , R2 = 47 k
TR2 (PNP); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.7
TR2 (PNP); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.9
V i(off)
(V)
h FE
10
10
1.6
1.2
0.8
0.4
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
2
0
1
10
3
2
10
= 100 C.
= 25 C.
= 40 C.
= 40 C.
= 25 C.
= 100 C.
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Input-off voltage as a function of collector
current; typical values.
2
1
CE
CE
= 5 V.
= 5 V.
10
1
1
10
1
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
I C (mA)
I C (mA)
MHC035
MHC033
10
10
2
6
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V CEsat
TR2 (PNP); I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.8
TR2 (PNP); V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.10 Input-on voltage as a function of collector
V i(on)
(mV)
(V)
10
10
10
10
10
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
1
3
2
10
10
2
1
= 100 C.
= 25 C.
= 40 C.
= 40 C.
= 25 C.
= 100 C.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
current; typical values.
1
1
C
CE
/I
B
= 0.3 V.
= 20.
1
1
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
10
10
Product specification
I C (mA)
I C (mA)
PEMD9
MHC034
MHC036
10
10
2
2