MJD243-1 Motorola Semiconductor Products, MJD243-1 Datasheet
MJD243-1
Manufacturer Part Number
MJD243-1
Description
NPN Silicon Power Transistor 4 Amperes 100 Volts 12.5 Watts
Manufacturer
Motorola Semiconductor Products
Datasheet
1.MJD243-1.pdf
(6 pages)
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
Plastic Power Transistor
DPAK For Surface Mount Applications
. . . designed for low voltage, low–power, high–gain audio amplifier applications.
* When surface mounted on minimum pad sizes recommended.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MAXIMUM RATINGS
THERMAL CHARACTERISTICS
Motorola Bipolar Power Transistor Device Data
REV 1
Collector–Base Voltage
Collector–Emitter Voltage
Emitter–Base Voltage
Collector Current — Continuous
Base Current
Total Device Dissipation @ T C = 25 _ C
Total Device Dissipation @ T A = 25 _ C*
Operating and Storage Junction
Thermal Resistance, Junction to Case
Motorola, Inc. 1995
Collector–Emitter Sustaining Voltage — V CEO(sus) = 100 Vdc (Min) @ I C = 10 mAdc
High DC Current Gain — h FE = 40 (Min) @ I C = 200 mAdc
Lead Formed for Surface Mount Applications in Plastic Sleeves (No Suffix)
Straight Lead Version in Plastic Sleeves (“–1” Suffix)
Lead Formed Version in 16 mm Tape and Reel (“T4” Suffix)
Low Collector–Emitter Saturation Voltage —
High Current–Gain — Bandwidth Product — f T = 40 MHz (Min) @ I C = 100 mAdc
Annular Construction for Low Leakage — I CBO = 100 nAdc @ Rated V CB
Derate above 25 _ C
Derate above 25 _ C
Temperature Range
Junction to Ambient*
V CE(sat) = 0.3 Vdc (Max) @ I C = 500 mAdc
Characteristic
2.5
1.5
0.5
T A
2
1
0
= 0.6 Vdc (Max) @ I C = 1.0 Adc
Rating
T C
25
20
15
10
5
0
25
Peak
50
Figure 1. Power Derating
= 15 (Min) @ I C = 1.0 Adc
T A (SURFACE MOUNT)
T C
T, TEMPERATURE ( C)
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
75
Symbol
T J , T stg
Symbol
V CEO
R JC
R JA
V CB
V EB
P D
P D
I C
I B
100
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
Î Î Î Î Î Î
– 65 to + 150
125
Value
0.011
12.5
Max
89.3
100
100
0.1
1.4
10
7
4
8
1
150
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Î Î Î
Watts
W/ _ C
Watts
W/ _ C
_ C/W
Unit
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
_ C
RECOMMENDED FOR
POWER TRANSISTOR
SURFACE MOUNTED
MINIMUM PAD SIZES
MJD243
*Motorola Preferred Device
APPLICATIONS
NPN SILICON
CASE 369A–13
4 AMPERES
CASE 369–07
12.5 WATTS
100 VOLTS
Order this document
by MJD243/D
inches
*
mm
1
Related parts for MJD243-1
Image
Part Number
Description
Manufacturer
Datasheet
Request
R
Part Number:
Description:
Triacs
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
Part Number:
Description:
Triacs
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
Part Number:
Description:
6367254 Motorola SC (xstrs/r F)
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
Part Number:
Description:
50 Amperes NPN Silicon Power Darlington Transistor 850 Volts 250 Watts
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
Part Number:
Description:
M68HC12B Family Data Sheet
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
Part Number:
Description:
DUAL GATE Mosfet VHF Amplifier
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
Part Number:
Description:
DUAL GATE Mosfet VHF Amplifier
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
Part Number:
Description:
NPN Darlington Silicon Power Transistor 10 Amperes 80 Volts 20 Watts
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
Part Number:
Description:
Integrated Circuits
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
Part Number:
Description:
Low Skew CMOS Clock Driver
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
Part Number:
Description:
Low Skew CMOS Clock Driver With Reset
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
Part Number:
Description:
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
Part Number:
Description:
Low-cost 16-bit DSP with DDR Controller and 10/100 Mbps Ethernet MAC
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
Part Number:
Description:
Fast Recovery Power Rectifiers
Manufacturer:
Motorola Semiconductor Products
Datasheet:
MJD243-1 Summary of contents
Page 1
... R JA 89.3 Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î 75 100 125 150 T, TEMPERATURE ( C) Order this document by MJD243/D MJD243 * *Motorola Preferred Device NPN SILICON POWER TRANSISTOR 4 AMPERES 100 VOLTS 12.5 WATTS CASE 369A–13 CASE 369–07 ...
Page 2
... MJD243 Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î ...
Page 3
... 700 500 300 200 t r 100 BE(off 0.04 0.06 0.1 MJD243 0.2 0.4 0 COLLECTOR CURRENT (AMP) Figure 5. “On” Voltages SCOPE – FOR PNP TEST CIRCUIT, ...
Page 4
... MJD243 200 100 REVERSE VOLTAGE (VOLTS) Figure 10. Capacitance Motorola Bipolar Power Transistor Device Data 100 ...
Page 5
... SEATING –T– PLANE CASE 369A–13 ISSUE CASE 369–07 ISSUE K MJD243 NOTES: 1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982. 2. CONTROLLING DIMENSION: INCH. INCHES MILLIMETERS DIM MIN MAX MIN MAX A 0.235 0.250 5.97 6.35 B 0.250 0.265 6 ...
Page 6
... JAPAN: Nippon Motorola Ltd.; Tatsumi–SPD–JLDC, Toshikatsu Otsuki, 6F Seibu–Butsuryu–Center, 3–14–2 Tatsumi Koto–Ku, Tokyo 135, Japan. 03–3521–8315 HONG KONG: Motorola Semiconductors H.K. Ltd.; 8B Tai Ping Industrial Park, 51 Ting Kok Road, Tai Po, N.T., Hong Kong. 852–26629298 Motorola Bipolar Power Transistor Device Data *MJD243/D* MJD243/D ...