MJD243-1 Motorola Semiconductor Products, MJD243-1 Datasheet - Page 2

MJD243-1

Manufacturer Part Number

MJD243-1

Description

NPN Silicon Power Transistor 4 Amperes 100 Volts 12.5 Watts

Manufacturer

Motorola Semiconductor Products

Datasheet

1.MJD243-1.pdf (6 pages)

Current page: 2 of 6
Download datasheet (210Kb)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

MJD243

(1) Pulse Test: Pulse Width = 300 s, Duty Cycle

(2) f T = h FE

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

OFF CHARACTERISTICS

DYNAMIC CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Sustaining Voltage (1) (I C = 10 mAdc, I B = 0)

Collector Cutoff Current (V CB = 100 Vdc, I E = 0)

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current (V BE = 7 Vdc, I C = 0)

DC Current Gain (1) (I C = 200 mAdc, V CE = 1 Vdc)

DC Current Gain (1)

Collector–Emitter Saturation Voltage (1)

Base–Emitter Saturation Voltage (1) (I C = 2 Adc, I B = 200 mAdc)

Base–Emitter On Voltage (1) (I C = 500 mAdc, V CE = 1 Vdc)

Current–Gain — Bandwidth Product (2) (I C = 100 mAdc, V CE = 10 Vdc, f test = 10 MHz)

Output Capacitance (V CB = 10 Vdc, I E = 0, f = 0.1 MHz)

0.05

0.02

0.01

(I C = 500 mAdc, I B = 50 mAdc)

(I C = 1 Adc, I B = 100 mAdc)

0.5

0.2

0.1

0.07

0.05

0.03

0.02

0.01

0.7

0.5

0.3

0.2

0.1

0.02

Figure 2. Active Region Maximum Safe

0 (SINGLE PULSE)

V CE , COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)

D = 0.5

f test .

0.05

0.1

0.2

BONDING WIRE LIMITED

THERMALLY LIMITED @ T C = 25 C

SECOND BREAKDOWN LIMITED

CURVES APPLY BELOW

RATED V CEO

(I C = 1 Adc, V CE = 1 Vdc)

(SINGLE PULSE)

0.05

0.01

(V CB = 100 Vdc, I E = 0, T J = 125 _ C)

0.02

Operating Area

5 ms

0.1

1 ms

Characteristic

(T C = 25 _ C unless otherwise noted)

0.2

[

500 s

2%.

0.5

100 s

Figure 3. Thermal Response

100

t, TIME (ms)

R JC (t) = r(t) JC

R JC = 10 C/W MAX

D CURVES APPLY FOR POWER

PULSE TRAIN SHOWN

READ TIME AT t 1

T J(pk) – T C = P (pk) JC (t)

transistor: average junction temperature and second break-

down. Safe operating area curves indicate I C – V CE limits of

the transistor that must be observed for reliable operation;

i.e., the transistor must not be subjected to greater dissipa-

tion than the curves indicate.

variable depending on conditions. Second breakdown pulse

limits are valid for duty cycles to 10% provided T J(pk)

ure 3. At high case temperatures, thermal limitations will re-

duce the power that can be handled to values less than the

limitations imposed by second breakdown.

There are two limitations on the power handling ability of a

The data of Figure 2 is based on T J(pk) = 150 _ C; T C is

150 _ C. T J(pk) may be calculated from the data in Fig-

Motorola Bipolar Power Transistor Device Data

Î Î Î Î

V CEO(sus)

V CE(sat)

V BE(sat)

V BE(on)

Symbol

I CBO

I EBO

h FE

C ob

f T

Î Î Î Î

P (pk)

DUTY CYCLE, D = t 1 /t 2

t 1

Min

100

—

t 2

Î Î Î Î

Max

100

180

0.3

0.6

1.8

1.5

—

100

Î Î Î

nAdc

Unit

MHz

Vdc

Adc

—

200

MJD243-1 Motorola Semiconductor Products, MJD243-1 Datasheet - Page 2

MJD243-1

Related parts for MJD243-1