2SA2196 Sanyo Semicon Device, 2SA2196 Datasheet - Page 2

• Manufacturer Part Number: 2SA2196
• Description: PNP / NPN Epitaxial Planar Silicon Transistors DC / DC Converter Applications
• Manufacturer: Sanyo Semicon Device

Continued from preceding page.
Package Dimensions
unit : mm (typ)
7515-002
Collector-to-Emitter Saturation Voltage
Base-to-Emitterr Saturation Voltage
Collector-to-Base Breakdown Voltage
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage
Emitter-to-Base Breakdown Voltage
Turn-On Time
Storage Time
Fall Time
3.0
--5.0
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
1.6
0.8
0.6
0
0.8
0
2.4
2SA2196
1
--0.2
8.0
2
Parameter
4.8
4.0
Collector-to-Emitter Voltage, V CE -- V
3
--0.4
--0.6
--0.8
I C -- V CE
--1.0
--1.2
V (BR)CBO
V (BR)CEO
V (BR)EBO
0.5
1 : Emitter
2 : Collector
3 : Base
SANYO : TO-126
V CE (sat)1
V CE (sat)2
V BE (sat)
Symbol
2.7
--1.4
t stg
t on
t f
--1.6
I B =0mA
2SA2196 / 2SC6101
--1.8
I C =(--)1.5A, I B =(--)30mA
I C =(--)1.5A, I B =(--)75mA
V CE =(--)1.5V, I B =(--)30mA
I C =(--)10 A, I E =0A
I C =(--)1mA, R BE =
I E =(- -)10 A, I C =0A
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
See specified Test Circuit.
IT11473
--2.0
Conditions
Switching Time Test Circuit
5.0
4.5
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
20I B1 = --20I B2 =I C =500mA
For PNP, the polarity is reversed.
2SC6101
INPUT
PW=20 s
D.C. 1%
0.2
50
Collector-to-Emitter Voltage, V CE -- V
0.4
V R
V BE = --5V
0.6
(--30)40
min
(--)30
I C -- V CE
(--)6
0.8
I B1
100 F
I B2
R B
1.0
(--170)135 (--255)200
+
Ratings
(270)300
(--)0.85
typ
(--)120
(50)30
(25)15
1.2
470 F
V CC =12V
1.4
+
max
(--)180
(--)1.2
1.6
OUTPUT
No. A0462-2/5
24
I B =0mA
1.8
IT11474
Unit
mV
mV
ns
ns
ns
V
V
V
V
2.0