sch2811 Sanyo Semiconductor Corporation, sch2811 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: sch2811
• Description: Mosfet P-channel Silicon Mosfet Sbd Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

100
--10
1.0
0.1
0.8
0.6
0.4
0.2
10
--9
--8
--7
--6
--5
--4
--3
--2
--1
--0.01
--0.01
0
0
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
V DS = --10V
I D = --1.0A
20
2
2
0.5
3
3
Ambient Temperature, Ta -- C
40
Total Gate Charge, Qg -- nC
1.0
5
5
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
SW Time -- I D
7
7
60
V GS -- Qg
--0.1
--0.1
P D -- Ta
y
1.5
fs -- I D
80
2
2
2.0
3
3
100
5
5
2.5
120
7
7
V DD = --15V
V GS = --10V
V DS = --10V
--1.0
--1.0
[ MOSFET ]
[ MOSFET ]
[ MOSFET ]
[MOSFET]
3.0
140
IT07286
IT07290
IT11176
IT11178
2
2
3.5
160
SCH2811
3
3
--0.01
--0.01
--1.0
--0.1
--1.0
--0.1
100
10
--0.01 2 3
--0.4
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
3
2
7
5
3
2
0
Ta=25 C
Single pulse
Mounted on a ceramic board (900mm
--0.5
Ciss, Coss, Crss -- V DS
--5
5 7
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
Operation in this
area is limited by R DS (on).
--0.6
--0.1
--10
--0.7
2 3
I S -- V SD
A S O
5 7
--0.8
--15
--1.0
--0.9
2 3
--20
2
0.8mm) 1unit
--1.0
5 7 --10
No. A0440-4/6
[ MOSFET ]
[ MOSFET ]
[MOSFET]
--25
V GS =0V
f=1MHz
--1.1
2 3
IT07288
IT07292
10 s
IT11177
--1.2
--30
5