emh2801 Sanyo Semiconductor Corporation, emh2801 Datasheet - Page 3

• Manufacturer Part Number: emh2801
• Description: Mosfet P-channel Silicon Mosfet Sbd Schottky Barrier Diode
• Manufacturer: Sanyo Semiconductor Corporation

--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
100
240
210
180
150
120
1.0
0.1
10
10
90
60
30
--0.01
--0.01
0
0
7
5
3
2
7
5
3
2
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
I D = --0.5A
--0.1
2
2
--1
3
3
--0.2
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
5 7
--2
5 7
--0.3
R DS (on) -- V GS
Drain Current, I D -- A
Drain Current, I D -- A
--0.1
--1A
--0.1
--3A
SW Time -- I D
--3
|
--0.4
I D -- V DS
y
fs | -- I D
2
2
--0.5
--4
3
3
5 7
--0.6
5 7
--5
--1.0
--0.7
--1.0
--6
V GS = --1.2V
2
V DD = --10V
V GS = --4.5V
--0.8
V DS = --10V
2
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
3
Ta=25°C
--7
3
--0.9
IT14533
IT14535
IT14537
IT14539
5 7
EMH2801
5 7
--1.0
--10
--8
--0.01
--1.0
--0.1
--5.0
--4.5
--4.0
--3.5
--3.0
--2.5
--2.0
--1.5
--1.0
--0.5
100
240
220
200
180
160
140
120
100
80
60
40
20
--0.3
0
0
--60 --40 --20
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
0
0
V DS = --10V
--0.2
--2
--0.4
Ciss, Coss, Crss -- V DS
--0.4 --0.6 --0.8
--4
Drain-to-Source Voltage, V DS -- V
Gate-to-Source Voltage, V GS -- V
Diode Forward Voltage, V SD -- V
--0.5
Ambient Temperature, Ta -- °C
0
--6
R DS (on) -- Ta
--0.6
20
I D -- V GS
I S -- V SD
--8
--1.0
40
--0.7
--10
--1.2
60
--12
--0.8
--1.4
80
--14
--1.6
100
--0.9
No. A1821-3/5
--16
--1.8
120
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
[MOSFET]
V GS =0V
--1.0
f=1MHz
--18
--2.0
140
IT14534
IT14536
IT14538
IT14540
--2.2
--1.1
160
--20