C126AG-00 HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD], C126AG-00 Datasheet

C126AG-00

Manufacturer Part Number

C126AG-00

Description

NPN SILICON TRANSISTOR

Manufacturer

HUASHAN [SHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD]

Datasheet

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█ 芯片简介

█ 极限值

█ 电参数

芯片尺寸：4 英寸（100mm）

芯片代码：C126AG-00

芯片厚度：240±20µm

管芯尺寸：1260×1260µm

焊位尺寸：B 极 308×308µm

电极金属：铝

背面金属：银

典型封装：2SC3420，H3420

参数符号

CBO

EBO

Pulse Test: PW=10mS(max),Duty Cycle=30%(min)

stg

（

CBO

CEO

EBO

——集电极电流（DC） …………………………………… 5A

——基极电流…………………………………………… 1A

——结温………………………………………………150℃

——集电极电流(脉冲)………………………………… 8A

——集电极功率耗散（T

BR)CEO

——贮存温度………………………………… -55~150℃

(sat)

(on)

——发射极—基极电压………………………………8V

——集电极—发射极电压…………………………20V

——集电极—基极电压……………………………40V

汕头华汕电子器件有限公司

（T

集电极—发射极击穿电压

集电极—发射极截止电流

发射极—基极截止电流

直流电流增益

集电极—发射极饱和电压

基极—发射极导通电压

特征频率

共基极输出电容

=25℃）（封装形式：TO-126）

符号说明

=25℃） ……………………… 10W

=25℃） ………………………1.5W

；E 极 308×385µm

最小值典型值最大值单位

140

3420 晶体管芯片说明书

NPN

100

S I L I C O N

100

600

1.0

1.5

█ 管芯示意图

MHz

T R A N S I S T O R

f=1MHz

=10mA，I

=4A，I

测试条件

=40V，I

=8V，I

=2V，I

=10V，I

=100mA

=500mA

=4A

=0，

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