MC74HC367AD ONSEMI [ON Semiconductor], MC74HC367AD Datasheet - Page 2

MC74HC367AD

Manufacturer Part Number

MC74HC367AD

Description

Hex 3-State Noninverting Buffer with Separate 2-Bit and 4-Bit Sections

Manufacturer

ONSEMI [ON Semiconductor]

Datasheet

1.MC74HC367AD.pdf (6 pages)

Current page: 2 of 6
Download datasheet (159Kb)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î

Î Î Î Î

MOTOROLA

* Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur.

†Derating — Plastic DIP: – 10 mW/ _ C from 65 _ to 125 _ C

For high frequency or heavy load considerations, see Chapter 2 of the Motorola High–Speed CMOS Data Book (DL129/D).

MAXIMUM RATINGS*

RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS

DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

MC74HC367A

Symbol

Functional operation should be restricted to the Recommended Operating Conditions.

V in , V out

Symbol

V CC

V out

I CC

T stg

I out

V CC

V in

P D

I in

T L

t r , t f

V OH

T A

V IH

V IL

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

b l

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î

DC Supply Voltage (Referenced to GND)

DC Input Voltage (Referenced to GND)

DC Output Voltage (Referenced to GND)

DC Input Current, per Pin

DC Output Current, per Pin

DC Supply Current, V CC and GND Pins

Power Dissipation in Still Air,

Storage Temperature

Lead Temperature, 1 mm from Case for 10 Seconds

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î

DC Supply Voltage (Referenced to GND)

DC Input Voltage, Output Voltage (Referenced to GND)

Operating Temperature, All Package Types

Input Rise and Fall Time

Minimum High–Level Input

Voltage

Maximum Low–Level Input

Voltage

Minimum High–Level Output

Voltage

SOIC Package: – 7 mW/ _ C from 65 _ to 125 _ C

TSSOP Package: – 6.1 mW/ _ C from 65 _ to 125 _ C

(Figure 1)

Parameter

Plastic DIP, SOIC or TSSOP Package

Parameter

Î Î Î Î Î Î Î Î Î

TSSOP Package†

Î Î Î Î Î Î Î Î Î

(Voltages Referenced to GND)

SOIC Package†

V out = V CC – 0.1 V

|I out |

V out = 0.1 V

|I out |

V in = V IH

|I out |

V in = V IH

Plastic DIP†

V CC = 2.0 V

V CC = 4.5 V

V CC = 6.0 V

Test Conditions

20 A

Î Î Î Î Î Î

– 0.5 to V CC + 0.5

di i

Î Î Î

|I out |

Î Î Î

– 0.5 to + 7.0

– 65 to + 150

– 55

Min

2.0

Value

750

500

450

260

3.6 mA

6.0 mA

7.8 mA

Î Î Î

+ 125

V CC

1000

Max

500

400

6.0

Î Î Î Î

Î Î Î

V CC

Unit

2.0

3.0

4.5

6.0

2.0

3.0

4.5

6.0

2.0

4.5

6.0

3.0

4.5

6.0

_ C

Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î

– 55 to

25 _ C

3.15

0.50

0.90

1.35

1.80

2.48

3.98

5.48

1.5

2.1

4.2

1.9

4.4

5.9

Î Î Î Î

circuitry to guard against damage

due to high static voltages or electric

fields. However, precautions must

be taken to avoid applications of any

voltage higher than maximum rated

voltages to this high–impedance cir-

cuit. For proper operation, V in and

V out should be constrained to the

range GND

tied to an appropriate logic voltage

level (e.g., either GND or V CC ).

Unused outputs must be left open.

Guaranteed Limit

This device contains protection

Unused inputs must always be

High–Speed CMOS Logic Data

3.15

0.50

0.90

1.35

1.80

2.34

3.84

5.34

1.5

2.1

4.2

1.9

4.4

5.9

85 _ C

Î Î Î Î

(V in or V out )

3.15

0.50

0.90

1.35

1.80

2.20

3.70

5.20

125 _ C

1.5

2.1

4.2

1.9

4.4

5.9

DL129 — Rev 6

Î Î Î

V CC .

U i

Unit

MC74HC367AD ONSEMI [ON Semiconductor], MC74HC367AD Datasheet - Page 2

MC74HC367AD

Related parts for MC74HC367AD