DZ540N26K

Manufacturer Part NumberDZ540N26K
DescriptionDiscrete Semiconductor Modules 2600V 1150A
ManufacturerInfineon Technologies
TypeRectifier Diode Module
DZ540N26K datasheets

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Specifications of DZ540N26K

Mounting StyleScrewOutput Current732 A
Reverse Voltage2600 VPackage / CaseDZ540
Gate Trigger Current40 mALead Free Status / RoHS StatusLead free / RoHS Compliant
1
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N
Netz-Dioden-Modul
Rectifier Diode Module
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kenndaten
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften
Periodische Spitzensperrspannung
Thermische Eigenschaften
repetitive peak reverse voltages
Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
prepared by: C. Drilling
approved by: M. Leifeld
BIP AC/ 97-08-08, R.Jörke
Datenblatt / Data sheet
DZ540N
DZ540N
T
= -40°C... T
vj
vj max
T
= +25°C... T
vj
vj max
T
= 100°C
C
73°C
T
=
C
T
= 25 °C, t
= 10 ms
vj
P
T
= T
, t
= 10 ms
vj
vj max
P
T
= 25 °C, t
= 10 ms
vj
P
T
= T
, t
= 10 ms
vj
vj max
P
T
= T
, i
= 2200 A
vj
vj max
F
T
= T
vj
vj max
T
= T
vj
vj max
T
= T
, v
= V
vj
vj max
R
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
pro Modul / per Module, Θ = 180° sin
pro Modul / per Module, DC
pro Modul / per Module
date of publication:
11.05.06
revision:
2
A111/97
DZ540N…B01
2000
V
RRM
2400
2100
V
RSM
2500
I
FRMSM
I
FAVM
16.500
I
FSM
14.000
1.360.000
I²t
980.000
max.
v
F
V
(TO)
r
T
max.
i
RRM
R
V
ISOL
R
max.
0,0780
thJC
max.
0,0745
max.
R
thCH
T
vj max
T
- 40...+150 °C
c op
T
- 40...+150 °C
stg
Seite/page
2200
V
2600
V
2300
V
2700
V
1150 A
540
A
732
A
A
A
A²s
A²s
1,64 V
0,78 V
0,31 mΩ
40 mA
kV
3,6
kV
3,0
°C/W
°C/W
0,02 °C/W
150 °C
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Part Number DescriptionManufacturer Datasheet
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  BGA428 Infineon Technologies AG
  BGA616 Infineon Technologies AG
  SAB-C167CR-LM 16-bit microcontroller with 2x2 KByte RAM Infineon Technologies AG
  BFP182W NPN silicon RF transistor Infineon Technologies AG
  BFP193W NPN silicon RF transistor Infineon Technologies AG

DZ540N26K Summary of contents

  • Page 1

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kenndaten Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften Periodische Spitzensperrspannung Thermische Eigenschaften repetitive peak reverse voltages Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert maximum RMS on-state current Dauergrenzstrom average on-state ...

  • Page 2

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see annex Mechanische Eigenschaften Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Innere Isolation internal insulation Anzugsdrehmoment für mechanische Anschlüsse mounting torque Anzugsdrehmoment für elektrische Anschlüsse terminal ...

  • Page 3

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Maßbild BIP AC/ 97-08-08, R.Jörke Datenblatt / Data sheet DZ540N 2 DZ A111/ DZ...B01 Seite/page 1 3/10 ...

  • Page 4

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module R,T – Werte R,Tau-Glieder des Elements Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z Analytical elements of transient thermal impedance Z Pos [°C/W] 0,00194 thn τ 0,000732 [s] n Analytische Funktion / Analytical function: ...

  • Page 5

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z Analytical elements of transient thermal impedance Z Pos [°C/W] 0,01176 thn τ 3,19 [s] n Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes Z Analytical elements of transient thermal ...

  • Page 6

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module 1400 Diagramme 1200 1000 800 600 400 200 0 0 200 Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ 160 140 120 100 ...

  • Page 7

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module 3500 0,020 Maximaler Strom bei B2 und B6 3000 0,025 0,020 0,020 0,030 2500 0,040 2000 0,050 0,060 1500 0,080 0,100 1000 0,120 0,150 0,200 500 0,300 [°C] A ...

  • Page 8

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module 10000 1000 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q 12.000 10.000 8.000 6.000 4.000 2.000 0 0,01 Grenzstrom je Zweig / Maximum overload on-state current per arm I b: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per ...

  • Page 9

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module 6.000 5.000 4.000 3.000 2.000 1.000 0 0,01 0,1 B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular Kühlkörper / Heatsink type KM17 (120W) Natürliche Kühlung bei / Natural cooling at T Parameter: Vorlaststrom ...

  • Page 10

    N Netz-Dioden-Modul Rectifier Diode Module Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für ...

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