BSM25GB120DN2 Infineon Technologies, BSM25GB120DN2 Datasheet
BSM25GB120DN2
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BSM25GB120DN2 Summary of contents
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BSM 25 GB 120 DN2 IGBT Power Module • Half-bridge • Including fast free-wheeling diodes • Package with insulated metal base plate Type BSM 25 GB 120 DN2 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage ...
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BSM 25 GB 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage CE, C Collector-emitter saturation voltage °C ...
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BSM 25 GB 120 DN2 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 600 Gon Rise time V = 600 V, ...
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BSM 25 GB 120 DN2 Power dissipation = ( tot C parameter: T 150 °C j 220 W 180 P tot 160 140 120 100 Collector current = ...
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BSM 25 GB 120 DN2 Typ. output characteristics parameter µ ° 17V 15V 40 I 13V C 11V ...
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BSM 25 GB 120 DN2 Typ. gate charge = ( Gate parameter puls 600 ...
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BSM 25 GB 120 DN2 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 600 ± ...
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BSM 25 GB 120 DN2 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter =125° 0.0 0.5 1.0 ...
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BSM 25 GB 120 DN2 Package Outlines Dimensions in mm Weight: 190 g Circuit Diagram 9 Oct-20-1997 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...