K4H561638F-ULB3 Samsung Semiconductor, K4H561638F-ULB3 Datasheet - Page 4

• Manufacturer Part Number: K4H561638F-ULB3
• Manufacturer: Samsung Semiconductor
• Type: DDR SDRAMr

Specifications of K4H561638F-ULB3

• Organization: 16Mx16
• Density: 256Mb
• Address Bus: 15b
• Access Time (max): 700ps
• Maximum Clock Rate: 333MHz
• Operating Supply Voltage (typ): 2.5V
• Package Type: TSOP-II
• Operating Temp Range: 0C to 70C
• Operating Supply Voltage (max): 2.7V
• Operating Supply Voltage (min): 2.3V
• Supply Current: 200mA
• Pin Count: 66
• Mounting: Surface Mount
• Operating Temperature Classification: Commercial
• Lead Free Status / RoHS Status: Compliant

DDR SDRAM 256Mb F-die (x8, x16) Pb-Free
Pin Description
AP/A
LDQS
V
V
V
LDM
V
V
CAS
RAS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
BA
BA
V
V
WE
V
DDQ
DDQ
DDQ
SSQ
SSQ
NC
NC
NC
CS
NC
A
A
A
A
DD
DD
DD
10
0
1
2
3
4
5
6
7
0
1
0
1
2
3
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
Organization
AP/A
V
V
V
V
V
CAS
RAS
16Mx16
DQ
DQ
DQ
DQ
BA
BA
V
V
V
32Mx8
WE
DDQ
DDQ
DDQ
NC
SSQ
NC
NC
SSQ
NC
NC
NC
NC
NC
NC
NC
CS
A
A
A
A
DD
DD
DD
10
0
1
2
3
0
1
0
1
2
3
Row & Column address configuration
23
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
256Mb TSOP-II Package Pinout
(0.65mm Pin Pitch)
(400mil x 875mil)
Bank Address
Auto Precharge
66Pin TSOPII
16Mb x 16
Row Address
32Mb x 8
BA0~BA1
A0~A12
A0~A12
A10
Column Address
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
A0-A9
A0-A8
V
DQ
V
NC
DQ
V
NC
DQ
V
NC
DQ
V
NC
NC
V
DQS
NC
V
V
DM
CK
CK
CKE
NC
A
A
A
A
A
A
A
A
V
SS
SSQ
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
REF
SS
12
11
9
8
7
6
5
4
SS
Rev. 1.2 October, 2004
7
6
5
4
V
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
DQ
V
DQ
NC
V
UDQS
NC
V
V
UDM
CK
CK
CKE
NC
A
A
A
A
A
A
A
A
V
SS
SSQ
DDQ
SSQ
DDQ
SSQ
REF
SS
12
11
9
8
7
6
5
4
SS
15
14
13
12
11
10
9
8
DDR SDRAM