FF600R12KE3 Infineon Technologies, FF600R12KE3 Datasheet

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FF600R12KE3

Manufacturer Part Number
FF600R12KE3
Description
IGBT Modules 1200V 600A DUAL
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of FF600R12KE3

Configuration
Dual
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
1.2kV
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
1200 V
Collector-emitter Saturation Voltage
1.7 V
Continuous Collector Current At 25 C
850 A
Gate-emitter Leakage Current
400 nA
Power Dissipation
2.8 KW
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
IHM130
Ic (max)
600.0 A
Vce(sat) (typ)
1.7 V
Technology
IGBT3
Housing
IHM 130 mm
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FF600R12KE3
Manufacturer:
EUPEC/Infineon
Quantity:
1 000
Part Number:
FF600R12KE3
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
FF600R12KE3
Quantity:
55
Kollektor Emitter Sperrspannung
collector emitter voltage
Kollektor Dauergleichstrom
DC collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
gate emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Grenzlastintegral
I²t value
Isolations Prüfspannung
insulation test voltage
Kollektor Emitter Sättigungsspannung
collector emitter satration voltage
Gate Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor Emitter Reststrom
collector emitter cut off current
Gate Emitter Reststrom
gate emitter leakage current
prepared by: MOD-D2; Mark Münzer
approved: SM TM; Christoph Lübke
IGBT-Module
IGBT-Modules
Höchstzulässige Werte / maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Charakteristische Werte / characteristic values
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Technische Information / technical information
T
T
T
t
T
t
V
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
I
I
I
V
f= 1MHz, T
f= 1MHz, T
V
V
date of publication: 2002-07-30
revision: 2.0
p
p
C
C
C
vj
c
c
= 1ms, T
c
= 1ms
R
GE
GE
CE
= 600A, V
= 600A, V
= 24mA, V
= 80°C
= 25°C
= 25°C; Transistor
= 25°C
= 0V, t
= 0V, V
= -15V...+15V; V
= 0V, T
p
= 10ms, T
c
= 80°C
vj
GE
vj
vj
FF600R12KE3
GE
GE
= 25°C, V
CE
= 25°C, V
= 25°C, V
= 20V, T
1 (8)
= 15V, T
= 15V, T
= V
GE
, T
vj
CE=
= 125°C
CE
CE
CE
vj
vj
vj
vj
= 25°C
...V
= 25°C,
= 125°C,
= 25°C,
= 1200V
= 25V, V
= 25V, V
GE
GE
= 0V
= 0V
V
I
V
V
V
V
C, nom
I
I
I
I
C
C
P
CRM
GE(th)
Q
FRM
CEsat
CES
GES
I²t
ISOL
CES
I
GES
I
C
tot
F
ies
res
G
vorläufige Daten
preliminary data
min.
5
-
-
-
-
-
-
-
DB_FF600R12KE3_2.0.xls
+/- 20
1200
1200
1200
typ.
600
850
600
2,8
2,5
1,7
5,8
5,8
75
43
2
2
-
-
max.
t.b.d.
2,15
400
6,5
2002-07-30
5
-
-
-
k A²s
kW
mA
µC
kV
nF
nF
nA
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V

Related parts for FF600R12KE3

FF600R12KE3 Summary of contents

Page 1

... Daten preliminary data V 1200 V CES 600 nom I 850 1200 A CRM P 2,8 kW tot V +/- 20 V GES I 600 1200 A FRM I² A²s V 2,5 kV ISOL min. typ. max. - 1,7 2, CEsat - 2 t.b. 5,8 6,5 V GE(th 5,8 - µ ies res CES 400 nA GES DB_FF600R12KE3_2.0.xls 2002-07-30 ...

Page 2

... Daten preliminary data min. typ. max 0,60 - µs d,on - 0,66 - µ 0,23 - µ 0,22 - µ 0,82 - µs d,off - 0,96 - µ 0,15 - µ 0,18 - µ 120 - off I - 2400 - sCE CC´/EE´ - 2 170 265 µ µ rec DB_FF600R12KE3_2.0.xls 2002-07-30 ...

Page 3

... Anschlüsse / terminal M4 Anschlüsse / terminal M8 3 (8) vorläufige Daten preliminary data min. typ. max 0,022 K/W thJC - - 0,044 K K/W 0,040 - - 0,080 K/W - 0,006 - K/W R thCK - 0,012 - K 150 °C vj max T -40 - 125 ° -40 - 125 °C stg >400 M 4, 1 1500 g DB_FF600R12KE3_2.0.xls 2002-07-30 ...

Page 4

... FF600R12KE3 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1,0 1,5 2,0 V [V] CE Vge=19V Vge=17V Vge=15V Vge=13V Vge=11V Vge=9V 1,5 2,0 2,5 3 (8) vorläufige Daten preliminary data 15V GE 2,5 3 125°C vj 3,5 4,0 4,5 5,0 DB_FF600R12KE3_2.0.xls 2002-07-30 ...

Page 5

... FF600R12KE3 Tvj=25°C Tvj=125° [V] GE Tvj = 25°C Tvj = 125°C 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1 (8) vorläufige Daten preliminary data 20V f 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6 DB_FF600R12KE3_2.0.xls 2002-07-30 ...

Page 6

... FF600R12KE3 =±15V, R =3,6W gon Eon Eoff Erec 300 450 600 750 I [ =±15V, I =600A Eon Eoff Erec [ (8) vorläufige Daten preliminary data = off C rec C =1,2W, V =600V, T =125°C goff CE vj 900 1050 1200 = off G rec G =600V, T =125° DB_FF600R12KE3_2.0.xls 2002-07-30 ...

Page 7

... Zth : IGBT Zth : Diode 0,01 0 18,49 22,17 6,897E-01 5,634E-02 2,997E-02 22,96 25,20 4,452E-01 7,451E-02 2,647E-02 V =±15V IC,Chip 400 600 800 V [ (8) vorläufige Daten preliminary data = f ( 2,51 0,83 3,820E-03 26,46 5,38 2,850E-03 =125°C vj 1000 1200 1400 DB_FF600R12KE3_2.0.xls 2002-07-30 ...

Page 8

... Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagram FF600R12KE3 8 (8) vorläufige Daten preliminary data DB_FF600R12KE3_2.0.xls 2002-07-30 ...

Page 9

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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