FS15R06XL4 Infineon Technologies, FS15R06XL4 Datasheet
FS15R06XL4
Specifications of FS15R06XL4
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FS15R06XL4 Summary of contents
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... Gate Schwellenspannung gate threshold voltage Gateladung gate charge Eingangskapazität input capacitance Rückwirkungskapazität reverse transfer capacitance Kollektor Emitter Reststrom collector emitter cut off current Gate Emitter Reststrom gate emitter leakage current prepared by: P. Kanschat approved: M. Hierholzer FS15R06XL4 ° ° ° 1ms ° ...
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... SC data Modulinduktivität stray inductance module Leitungswiderstand, Anschluss-Chip lead resistance, terminal-chip Charakteristische Werte / characteristic values Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlassspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Ausschaltenergie pro Puls reverse recovery energy FS15R06XL4 300 ±15V 25°C 18 ...
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... Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / mechanical properties Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anpresskraft pro Feder mounting force per clamp Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Luftstrecke clearance distance FS15R06XL4 T = 25° 100° 493 c 100 T = 25° exp[B(1/T - 1/T ...
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... IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) output characteristic (typical) Tvj = 25°C 30 Tvj = 125° 0,0 Ausgangskennlinienfeld (typisch) output characteristic (typical 0,0 0,5 FS15R06XL4 0,5 1,0 1,5 2,0 V [V] CE VGE = 20V VGE = 15V VGE = 12V VGE = 10V VGE = 9V VGE = 8V 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 ...
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... IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) transfer characteristic (typical) 30 Tvj = 25°C Tvj = 125° Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch) forward characteristic of inverse diode (typical) 30 Tvj = 25°C Tvj = 125° 0,0 0,2 FS15R06XL4 [V] GE 0,4 0,6 0,8 1,0 1 (8) vorläufige Daten preliminary data I = f(V ...
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... Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch) switching losses (typical) Eon Eoff Erec 1 Schaltverluste (typisch) switching losses (typical) Eon Eoff 1,2 Erec 1 0,8 0,6 0,4 0 FS15R06XL4 off ±15V Gon Goff [ off V = ±15V 15A 100 (8) vorläufige Daten ...
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... IGBT r i [s]: IGBT i [K/kW]: Diode r i [s]: Diode i Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) reverse bias safe operation area (RBSOA) 40 IC, Chip IC, Modul FS15R06XL4 0,01 0 114,0 380,0 1064,0 0,00745 0,11319 192,0 640,0 1792,0 0,00484 0,10644 V =15V 200 400 V [ (8) vorlä ...
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... Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid with the belonging technical notes. FS15R06XL4 8 (8) vorläufige Daten preliminary data ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...