BSM200GA120DN2S Infineon Technologies, BSM200GA120DN2S Datasheet

IGBT Transistors 1200V 200A SINGLE

BSM200GA120DN2S

Manufacturer Part Number
BSM200GA120DN2S
Description
IGBT Transistors 1200V 200A SINGLE
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheets

Specifications of BSM200GA120DN2S

Configuration
Single
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
1.2kV
Collector Current (dc) (max)
300A
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
150C
Operating Temperature Classification
Automotive
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
1200 V
Collector-emitter Saturation Voltage
2.5 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Continuous Collector Current At 25 C
200 A
Gate-emitter Leakage Current
200 nA
Power Dissipation
1550 W
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Package / Case
IS6a ( 62 mm )-5
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Ic (max)
200.0 A
Vce(sat) (typ)
2.5 V
Technology
IGBT2 Standard
Housing
62 mm
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
BSM200GA120DN2S
Quantity:
50
BSM 200 GA 120 DN2 S
Circuit Diagram
Package Outlines
Dimensions in mm
Weight: 420 g
1
Oct-27-1997

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Technische Information / Technical Information IGBT-Module BSM200GA120DN2 IGBT-Modules Anhang C-Serie Appendix C-series Gehäuse spezifische Werte Housing specific values Modulinduktivität stray inductance module Gehäusemaße C-Serie Package outline C-series typ sCE Appendix C-series nH Appendix_C-Serie_BSM200GA120DN2.xls 2001-09-20 ...

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