BSM50GP60G Infineon Technologies, BSM50GP60G Datasheet

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BSM50GP60G

Manufacturer Part Number
BSM50GP60G
Description
IGBT Modules 600V 50A PIM
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of BSM50GP60G

Configuration
Hex
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
600V
Collector Current (dc) (max)
70A
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Pin Count
24
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
600 V
Collector-emitter Saturation Voltage
2.2 V
Continuous Collector Current At 25 C
70 A
Gate-emitter Leakage Current
300 nA
Power Dissipation
250 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
EconoPIM3
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
BSM50GP60G
Manufacturer:
EUPEC/Infineon
Quantity:
1 000
Part Number:
BSM50GP60G
Quantity:
50
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert
RMS forward current per chip
Dauergleichstrom
DC forward current
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Technische Information / Technical Information
2
2
t - value
t - value
T
t
t
t
t
Tc = 80 °C
T
t
T
Tc = 80 °C
t
V
T
T
t
T
Tc = 80 °C
t
date of publication:29.03.2001
revision: 3
BSM50GP60G
P
P
P
P
P
P
P
P
C
C
C
C
C
C
R
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
= 80°C
= 25 °C
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
p
= 10ms, T
C
= 80°C
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
1(11)
25°C
25°C
vj
= 125°C
T
C
= 80 °C
I
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
C,nom.
I
C,nom.
I
I
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
RRM
I
I
CES
I
GES
I
CES
I
GES
I
I
2
2
C
C
d
tot
F
tot
F
t
t
+/- 20V
+/- 20V
1600
12,5
315
260
500
340
600
100
250
100
760
600
130
40
50
50
70
50
25
35
50
25
DB-PIM-10.xls
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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BSM50GP60G Summary of contents

Page 1

... Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Andreas Schulz approved by: Robert Severin BSM50GP60G T = 80° ms 25° ms 150°C ...

Page 2

... Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data BSM50GP60G RMS Hz min. NTC connected to Baseplate T = 150° 150° ...

Page 3

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Page 4

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Page 6

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Page 7

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical Eon Eoff 6 Erec Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 4 Eon 3,5 Eoff Erec 3 2,5 2 1 BSM50GP60G off 125° ± [ off T = 125° +- 7(11 300 V rec ...

Page 8

... IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Transient thermal impedance Inverter 1 Zth-IGBT Zth-FWD 0,1 0,01 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA) 120 100 100 BSM50GP60G Z thJC 0 125° IC,Modul IC,Chip 200 300 400 V [V] CE 8(11 ( ...

Page 9

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical 25° 125° 0,5 1 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical 0,5 BSM50GP60G 1 25° 125°C 1 1,5 V [V] F 9(11 3 2,5 DB-PIM-10.xls ...

Page 10

... IGBT-Modules Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical) 100 0,2 0,4 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 10000 1000 100 BSM50GP60G 25° 150°C 0,6 0,8 1 1 (T) Rtyp 60 80 100 T [°C] C 10(11 1,4 1,6 1,8 ...

Page 11

... Gehäuseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. BSM50GP60G ...

Page 12

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