FB10R06KL4G_B1 Infineon Technologies, FB10R06KL4G_B1 Datasheet

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FB10R06KL4G_B1

Manufacturer Part Number
FB10R06KL4G_B1
Description
IGBT Modules N-CH 600V 15A
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet
1.FB10R06KL4G_B1.pdf (13 pages)

Specifications of FB10R06KL4G_B1

Configuration
Hex
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
600V
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
600 V
Continuous Collector Current At 25 C
15 A
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
EASY2
Ic (max)
10.0 A
Vce(sat) (typ)
1.95 V
Technology
IGBT2 Low Loss
Housing
EasyPIM™ 2
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
FB10R06KL4G_B1FB10R06KL4G-B1
Manufacturer:
TONTEK
Quantity:
10 000
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
FB10R06KL4G_B1
Manufacturer:
Infineon Technologies
Quantity:
135
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
FB10R06KL4G_B1
Manufacturer:
EUPEC/Infineon
Quantity:
1 000
Company:
Meier Automation Equipment Co., Limited Meier Automation Equipment Co., Limited
Part Number:
FB10R06KL4G_B1
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Diode Gleichrichter / diode rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter / diode inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper / transistor brake-chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper / diode brake-chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Thomas Passe
approved by: R. Keggenhoff
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften /electrical properties
Höchstzulässige Werte /maximum rated values
Technische Information / technical information
2
2
t - value
t - value
T
T
T
t
t
t
t
T
T
T
t
T
t
V
T
T
T
t
T
t
date of publication: 2003-03-26
revision: 2.1
FB10R06KL4GB1
P
P
P
P
P
P
P
P
vj
C
C
vj
C
C
C
R
vj
C
C
C
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
=25°C
=80°C
=80°C
=25°C
=80°C
= 25 °C
= 0V, t
=25°C
=80 °C
= 25 °C
p
= 10ms, T
c
=80°C
T
vj
vj
vj
vj
C
=
= 150°C
=
= 150°C
1(12)
=80°C
25°C
25°C
vj
= 125°C
I
I
RMSmax
I
I
V
FRMSM
V
V
V
V
I
C,nom.
I
I
C,nom.
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
I
I
RRM
CES
I
GES
I
CES
I
GES
I
2
2
C
C
tot
F
tot
F
t
t
Vorläufig
preliminary
+/- 20V
+/- 20V
800
197
158
194
125
600
600
23
25
10
15
20
55
10
20
12
10
15
20
55
10
20
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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FB10R06KL4G_B1 Summary of contents

Page 1

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften /electrical properties Höchstzulässige Werte /maximum rated values Diode Gleichrichter / diode rectifier Periodische Rückw. Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip RMS forward current per chip Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom ...

Page 2

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Modul Isolation / module isolation Isolations-Prüfspannung insulation test voltage Elektrische Eigenschaften / electrical properties Charakteristische Werte / characteristic values Diode Gleichrichter / diode rectifier Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand slope resistance ...

Page 3

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Elektrische Eigenschaften / electrical properties Charakteristische Werte / characteristic values Modulinduktivität stray inductance module Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip Diode Wechselrichter / diode inverter Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current ...

Page 4

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to heatsink Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature ...

Page 5

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) output characteristic inverter (typical 25° 125° 0,00 0,50 1,00 Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) output characteristicinverter (typical) ...

Page 6

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) transfer characteristic inverter (typical 25° 125° 5,00 6,00 Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) forward characteristic ...

Page 7

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste Wechselr. (typisch) switching losses inverter (typical) 1,6 Eon 1,4 Eoff Erec 1,2 1 0,8 0,6 0,4 0 Schaltverluste Wechselr. (typisch) switching losses inverter (typical) 1,6 Eon 1,4 Eoff ...

Page 8

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Wechselr. transient thermal impedance inverter 10,000 Zth-IGBT Zth-FWD 1,000 0,100 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) reverse bias save operating area inverter (RBSOA IC,Modul IC,Chip ...

Page 9

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) output characteristic brake-chopper-IGBT (typical 25° 125° 0,00 0,50 1,00 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) I forward ...

Page 10

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) forward characteristic of rectifier diode (typical 25° 150° 0,00 0,20 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- ...

Page 11

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltplan/ circuit diagram Gehäuseabmessungen/ package outlines Bohrplan / drilling layout FB10R06KL4GB1 11(12) Vorläufig preliminary ...

Page 12

Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules Gehäuseabmessungen Forts. / package outlines contd. Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but ...

Page 13

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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