FB20R06KL4 Infineon Technologies, FB20R06KL4 Datasheet

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FB20R06KL4

Manufacturer Part Number
FB20R06KL4
Description
IGBT Modules N-CH 600V 25A
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of FB20R06KL4

Configuration
Hex
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
600V
Collector Current (dc) (max)
25A
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
600 V
Continuous Collector Current At 25 C
25 A
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Package / Case
EASY2
Ic (max)
20.0 A
Vce(sat) (typ)
1.95 V
Technology
IGBT2 Low Loss
Housing
EasyPIM™ 2
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FB20R06KL4
Manufacturer:
EUPEC/Infineon
Quantity:
1 000
Part Number:
FB20R06KL4
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
FB20R06KL4_B1
Manufacturer:
LUCENT
Quantity:
492
Part Number:
FB20R06KL4_B1
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom Grenzeffektivwert pro Chip
RMS forward current per chip
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
prepared by: Thomas Passe
approved by: Ingo Graf
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Technische Information / Technical Information
2
2
t - value
t - value
T
T
T
t
t
t
t
T
T
T
t
T
t
V
date of publication: 2002-02-27
revision: 5
FB20R06KL4
P
P
P
P
P
P
vj
C
C
vj
C
C
C
R
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 25°C
=25°C
=80°C
=80°C
=25°C
= 65°C
= 25 °C
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
T
C
=65°C
25°C
25°C
vj
= 125°C
1(11)
I
I
RMSmax
I
V
FRMSM
V
V
I
C,nom.
I
I
P
CRM
FSM
FRM
I
I
RRM
CES
I
GES
I
2
C
2
tot
F
t
t
Vorläufig
Preliminary
+/- 20V
1000
800
448
358
642
600
58
96
20
25
40
80
20
40
62
A
A
A
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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FB20R06KL4 Summary of contents

Page 1

... Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current Grenzlastintegral value prepared by: Thomas Passe approved by: Ingo Graf FB20R06KL4 T =25° =80° =80° ms 25° ms 150° ...

Page 2

... Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data FB20R06KL4 RMS Hz min. NTC connected to Baseplate T = 150° 150° ...

Page 3

... Diode Wechselrichter/ Diode Inverter Durchlaßspannung forward voltage Rückstromspitze peak reverse recovery current Sperrverzögerungsladung recovered charge Abschaltenergie pro Puls reverse recovery energy NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand Abweichung von R 100 deviation of R 100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value FB20R06KL4 T = 25° 0V 25° 0V 125° ...

Page 4

... Anpreßkraft f. mech. Befestigung pro Feder mounting force per clamp Gewicht weight Kontakt - Kühlkörper terminal to heatsink Terminal - Terminal terminal to terminal FB20R06KL4 l Gleichr. Diode/ Rectif. Diode =1W/m*K Paste Trans. Wechsr./ Trans. Inverter l =1W/m*K grease Diode Wechsr./ Diode Inverter Gleichr ...

Page 5

... Tj = 125° 0,00 0,50 1,00 1,50 Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) 40 VGE = 8V 35 VGE = 9V 30 VGE = 10V 25 Vge=12V Vge=15V 20 Vge=20V 0,00 0,50 1,00 1,50 FB20R06KL4 2,00 2,50 3,00 3, 125°C vj 2,00 2,50 3,00 3,50 V [V] CE 5(11) Vorläufig ...

Page 6

... Wechselr. (typisch) Transfer characteristic Inverter (typical 25° 125° 5,00 6,00 7,00 Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical 25° 125° 0,00 0,50 FB20R06KL4 8,00 9,00 10, 1,00 1,50 2,00 V [V] F 6(11) Vorläufig Preliminary ) GE 11,00 12, ...

Page 7

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 3 Eon Eoff 2,5 Erec 2 1 Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 3 Eon 2,5 Eoff Erec 2 1 FB20R06KL4 off C rec T = 125° ± [ off 125°C, V ...

Page 8

... Transient thermal impedance Inverter 10,000 Zth-IGBT Zth-FWD 1,000 0,100 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA IC,Modul IC,Chip 100 200 FB20R06KL4 (t) thJH IGBT: r [K/W]: 118,66e-3 592,55e-3 464,26e [s]: 3e-6 79,74e-3 i FWD: r [K/W]: 245,4e-3 1, [s]: 3e-6 80,4e-3 i 0,1 ...

Page 9

... Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical 25° 150° 0,00 0,20 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 10000 1000 100 FB20R06KL4 0,40 0,60 0, (T) Rtyp 60 80 100 T [°C] C 9(11) Vorläufig Preliminary ) F 1,00 1,20 ...

Page 10

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltplan/ Circuit diagram Gehäuseabmessungen/ Package outlines Bohrplan / drilling layout FB20R06KL4 J 10(11) Vorläufig Preliminary ...

Page 11

... Gehäuseabmessungen Forts. / Package outlines contd. Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Diese gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. FB20R06KL4 11(11) ...

Page 12

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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