FZ2400R17KF6CB2 Infineon Technologies AG, FZ2400R17KF6CB2 Datasheet

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FZ2400R17KF6CB2

Manufacturer Part Number
FZ2400R17KF6CB2
Description
Manufacturer
Infineon Technologies AG
Datasheet

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Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FZ2400R17KF6CB2
Quantity:
228
IGBT-Module
IGBT-Modules
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral der Diode
I
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
Gateladung
gate charge
Eingangskapazität
input capacitance
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
prepared by: Alfons Wiesenthal
approved by: Christoph Lübke; 10.11.2000
Technische Information / Technical Information
2
t - value, Diode
T
T
t
T
tp = 1 ms
V
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
I
I
I
V
f = 1MHz,T
f = 1MHz,T
V
V
V
date of publication: 10.11.2000
revision: serie
FZ2400R17KF6C B2
P
C
C
C
C
C
C
R
GE
CE
CE
CE
= 1 ms, T
= 2400A, V
= 2400A, V
= 190mA, V
=25°C, Transistor
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
= 1700V, V
= 1700V, V
= 0V, V
= -15V ... +15V
p
= 10ms, T
vj
vj
GE
C
= 25°C,V
= 25°C,V
GE
GE
= 80°C
CE
= 20V, T
GE
GE
= 15V, T
= 15V, T
= V
= 0V, T
= 0V, T
GE
1(8)
Vj
CE
CE
, T
vj
= 125°C
= 25°C
= 25V, V
= 25V, V
vj
vj
vj
vj
vj
= 25°C
= 125°C
= 25°C
= 25°C
= 125°C
GE
GE
= 0V
= 0V
V
V
I
V
V
V
C,nom.
I
I
C
C
I
I
P
CRM
CE sat
GE(th)
Q
FRM
CES
GES
ISOL
GES
I
CES
I
I
C
2
tot
F
ies
res
G
t
min.
4,5
+/- 20V
1700
2400
3800
4800
2400
4800
1500
typ.
19,2
0,06
160
2,6
3,1
5,5
29
30
4
8
FZ2400R17KF6C B2
max.
240
400
3,1
3,6
6,5
4,5
kA
kW
µC
mA
mA
nF
nF
nA
kV
V
A
A
A
V
A
A
V
V
V
2
s

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FZ2400R17KF6CB2 Summary of contents

Page 1

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom DC-collector current Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Dauergleichstrom ...

Page 2

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Charakteristische Werte / Characteristic values Transistor / Transistor Einschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn on delay time (inductive load) Anstiegszeit (induktive Last) rise time (inductive load) Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) ...

Page 3

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Thermische Eigenschaften / Thermal properties Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Höchstzulässige Sperrschichttemperatur maximum junction temperature Betriebstemperatur operation temperature Lagertemperatur storage temperature Mechanische Eigenschaften / Mechanical ...

Page 4

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Ausgangskennlinie (typisch) Output characteristic (typical) 5000 4500 4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 0,0 0,5 1,0 Ausgangskennlinienfeld (typisch) Output characteristic (typical) 5000 4500 4000 VGE = 20V VGE = 15V ...

Page 5

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik (typisch) Transfer characteristic (typical) 5000 4500 4000 3500 3000 2500 2000 1500 1000 500 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of inverse diode (typical) 5000 4500 4000 3500 3000 ...

Page 6

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste (typisch Switching losses (typical) R 3000 2500 2000 1500 1000 500 0 0 500 1000 Schaltverluste (typisch) Switching losses (typical) 4000 3500 Eoff Eon 3000 Erec 2500 2000 1500 1000 ...

Page 7

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Transienter Wärmewiderstand Transient thermal impedance 0,1 0,01 0,001 0,0001 0,001 0, [K/kW] : IGBT i [sec] : IGBT i r [K/kW] : Diode i [sec] : Diode i Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA) ...

Page 8

Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Äußere Abmessungen / external dimensions FZ2400R17KF6C B2 8(8) FZ2400R17KF6C B2 ...

Page 9

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

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