BP103-5 Infineon Technologies AG, BP103-5 Datasheet
BP103-5
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BP103-5 Summary of contents
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NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 420 nm bis 1130 nm Hohe Linearität TO-18, Bodenplatte, klares Epoxy- Gie harz, mit ...
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Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Description Betriebs- und Lagertemperatur Operating and storage temperature range Löttemperatur bei Tauchlötung Lötstelle 2 mm vom Gehäuse, Lötzeit Dip soldering temperature, from case bottom Löttemperatur bei Kolbenlötung Lötstelle 2 mm ...
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Kennwerte ( 950 nm) A Characteristics Bezeichnung Description Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit von S max Spectral range of sensitivity ...
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Die Fototransistoren werden nach ihrer Fotoempfindlichkeit gruppiert und mit arabischen Ziffern gekennzeichnet. The phototransistors are grouped according to their spectral sensitivity and distinguished by arabian figures. Bezeichnung Description Fotostrom, 950 nm Photocurrent 0.5 mW/ ...
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Relative spectral sensitivity = rel Output characteristics = Parameter Photocurrent PCE PCE25 A CE Semiconductor Group ...
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Collector-emitter capacitance MHz Directional characteristics rel Semiconductor Group Emitter-base capacitance MHz ...