TT61N Infineon Technologies, TT61N Datasheet

no-image

TT61N

Manufacturer Part Number
TT61N
Description
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet
1.TT61N.pdf (13 pages)

Specifications of TT61N

Vdrm/ Vrrm (v)
1,200.0 - 1,600.0 V
Itsm
1,400.0 A
Itavm/tc
60/85 (180° el sin)
Housing
PowerBLOCK 20 mm
Features
SCR SCR Phase Control

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TT61N08KOF-B2
Manufacturer:
INFINEON
Quantity:
332
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TT61N10KOF
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
530
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TT61N12
Quantity:
1 000
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TT61N12KOF
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
78
Company:
Bonase Electronics (HK) Co., Limited Bonase Electronics (HK) Co., Limited
Part Number:
TT61N12KOF
Manufacturer:
EUPEC
Quantity:
560
Phase Control Thyristor Module
BIP AC/ 16.05.2002; Drilling
N
Vorwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stoßspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stoßstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Zündverzug
gate controlled delay time
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaßspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
approved by: J. Novotny
prepared by: C.Drilling
Netz-Thyristor-Modul
5555Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
Datenblatt / Data sheet
A 05/02
TT61N
TT61N...-K
T
T
T
T
T
T
T
T
T
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
T
6.Kennbuchstabe / 6
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
v
DIN IEC 747-6
T
T
i
TT61N
GM
D
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
C
C
vj
= V
= 25 °C,i
= -40°C... T
= -40°C... T
= +25°C... T
= 85°C
= 76°c
= 25 °C, t
= T
= 25 °C, t
= T
= T
= T
= T
= T
= 25°C, v
= 25°C, v
= T
= T
= T
= 25°C, v
= T
date of publication:
= 25°C, v
= 1 A, di
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
DRM
, v
, t
, t
, v
GM
, i
, v
, v
, v
GM
R
D
D
D
G
P
P
D
T
P
P
D
D
D
D
/dt = 1 A/µs, t
= V
= 1 A, di
revision:
= 10 ms
= 10 ms
= 6 V
= 6 V
= 6 V, R
= 10 ms
= 10 ms
= 0,67 V
= 300 A
= 1 A, di
vj max
vj max
= 6 V, R
= 6 V
= 0,5 V
= 0,5 V
vj max
RRM
th
TD61N
TD61N...-A
G
letter F
DRM
DRM
A
G
DRM
GK
/dt = 1 A/µs
= 5 Ω
/dt = 1 A/µs
≥ 10 Ω
09.07.02
g
= 20 µs
3
V
V
V
I
I
I
I²t
(di
(dv
v
V
r
I
V
I
V
I
I
i
t
D
TRMSM
TAVM
TSM
T
GT
GD
H
L
gd
T
DRM
DSM
RSM
(TO)
GT
GD
, i
T
D
R
/dt)
/dt)
,V
cr
RRM
cr
1200
1600
1200
1600
1300
1700
DT61N
DT61N...-K
Seite/page
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
12000
1400 V
1400 V
1500 V
1550
1400
9800
1000 V/µs
120 A
150 A/µs
120 mA
200 mA
620 mA
1,9 V
0,8 V
3,4 mΩ
1,4 V
5,0
2,5
0,2 V
60
76
20 mA
3 µs
V
V
V
A
A
A
A
A²s
A²s
mA
mA
1/2

Related parts for TT61N

Image
Part Number
Description
Manufacturer
Datasheet
Request R
BFP620
Part Number:
BFP620
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP620.pdf (7 pages)
BG3123R
Part Number:
BG3123R
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BG3123R.pdf (8 pages)
BG3130
Part Number:
BG3130
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BG3130.pdf (6 pages)
BG3130R
Part Number:
BG3130R
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BG3130R.pdf (6 pages)
BG3230
Part Number:
BG3230
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BG3230.pdf (6 pages)
BGA428
Part Number:
BGA428
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BGA428.pdf (9 pages)
BGA616
Part Number:
BGA616
Description:
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BGA616.pdf (8 pages)
SAB-C167CR-LM
Part Number:
SAB-C167CR-LM
Description:
16-bit microcontroller with 2x2 KByte RAM
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
SAB-C167CR-LM.pdf (74 pages)
BFP182W
Part Number:
BFP182W
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP182W.pdf (7 pages)
BFP193W
Part Number:
BFP193W
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP193W.pdf (7 pages)
BFP450
Part Number:
BFP450
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP450.pdf (10 pages)
BFP520
Part Number:
BFP520
Description:
NPN silicon RF transistor
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BFP520.pdf (9 pages)
BGA420
Part Number:
BGA420
Description:
Si-MMIC-amplifier in SIEGET 25-technologie
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BGA420.pdf (8 pages)
BSM20GD60DN2
Part Number:
BSM20GD60DN2
Description:
IGBT Power Module
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
BSM20GD60DN2.pdf (9 pages)
TDA4716C
Part Number:
TDA4716C
Description:
IC for switching-mode power supplies
Manufacturer:
Infineon Technologies AG
Datasheet:
TDA4716C.pdf (17 pages)

TT61N Summary of contents

Page 1

... Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time prepared by: C.Drilling approved by: J. Novotny BIP AC/ 16.05.2002; Drilling Datenblatt / Data sheet TT61N TT61N TT61N...- -40°C... max T = -40°C... max T = +25°C... T ...

Page 2

... Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in Verbindung mit den zugehörigen technischen Erläuterungen. This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. BIP AC/ 16.05.2002; Drilling Datenblatt / Data sheet TT61N ...

Page 3

... N Netz-Thyristor-Modul Phase Control Thyristor Module Maßbild Maßbild Maßbild TT-K BIP AC/ 16.05.2002; Drilling Datenblatt / Data sheet TT61N TD-A A 05/ DT-K Seite/page 3 3 3/2 ...

Page 4

... Analytical elements of transient thermal impedance Z Pos [°C/W] 0,007 thn τ [s] 0,858 n Analytische Funktion / Analytical function: BIP AC/ 16.05.2002; Drilling Datenblatt / Data sheet TT61N 0,0426 0,1886 0,2470 0,01 0,31 1,762 Natürliche Kühlung / Natural cooling 3 Module pro Kühler / 3 modules per heatsink Kühler / Heatsink type: KM14 2 ...

Page 5

... Transienter innerer Wärmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ BIP AC/ 16.05.2002; Drilling Datenblatt / Data sheet TT61N 180° [s] 0,1 1 Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current 180° [s] 0,1 Rechteckfö ...

Page 6

... Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Berechnungsgrundlage P Calculation base P BIP AC/ 16.05.2002; Drilling Datenblatt / Data sheet TT61N 180° 60° 30° Strombelastung je Zweig / Current load per arm (Schaltverluste gesondert berücksichtigen) TAV (switching losses should be considered separately) TAV Parameter: Stromfluß ...

Page 7

... Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T Rechteckförmiger Strom / Rectangular current Berechnungsgrundlage P Calculation base P Parameter: Stromflußwinkel Θ / Current conduction angle Θ BIP AC/ 16.05.2002; Drilling Datenblatt / Data sheet TT61N 60° 30° TAVM Strombelastung je Zweig / Current load per arm (Schaltverluste gesondert berü ...

Page 8

... Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R BIP AC/ 16.05.2002; Drilling Datenblatt / Data sheet TT61N [°C/W] thCA ...

Page 9

... Höchstzulässiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R BIP AC/ 16.05.2002; Drilling Datenblatt / Data sheet TT61N [°C/W] thCA I ...

Page 10

... Steuercharakteristik v Gate characteristic v Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated W/10ms 1000 100 10 1 0,1 10 BIP AC/ 16.05.2002; Drilling Datenblatt / Data sheet TT61N Steuercharakteristik 100 = mit Zündbereichen fü with triggering area for W/1ms c - 100 W/0,5ms d – 150W/0,1ms Zü ...

Page 11

... Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q 1.600 1.400 1.200 1.000 800 600 400 200 0 0,01 Grenzstrom / Maximum overload on-state current I BIP AC/ 16.05.2002; Drilling Datenblatt / Data sheet TT61N Sperrverzögerungsladung ≤ 0 vjmax R RRM RM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i Grenzstrom a b 0,1 ...

Page 12

... B6- Sechspuls-Brückenschaltung, 120° Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120° rectangular Kühlkörper / Heatsink type KM14 Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm I BIP AC/ 16.05.2002; Drilling Datenblatt / Data sheet TT61N Überstrom I = TAV (vor ...

Page 13

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...

Related keywords