DD160N Infineon Technologies, DD160N Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: DD160N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of DD160N

• Vdrm/ Vrrm (v): 2,200.0 V
• Ifsm (max): 4,600.0 A
• Ifavm/tc: 160/100 (180° el sin)
• Housing: PowerBLOCK 34 mm
• Features: Rectifier Diode

DAEC / 09-02-11, C. Drilling
N
Rectifier Diode Module
600
400
200
1200
1000
1,0
800
600
400
200
Netz-Dioden-Modul
0
0
0
0
1,500
1,000
0,250
0,400
0,600
0,800
0,080
0,100
0,120
0,150
0,200
0,300
0,060
0,150
0,200
0,250
0,600
0,080
0,100
0,120
0,300
0,400
0,800
1,000
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
Wärmewiderstand zwischen den Gehäusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
20
20
0,80
1,00
0,060
0,040
40
0,050
40
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
Höchstzulässiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
T
60
60
A
Maximaler Strom bei B2 und B6
[°C]
T
A
B6- Sechspuls-Brückenschaltung / Six-pulse bridge circuit
R
B2- Zweipuls-Brückenschaltung / Two-pulse bridge circuit
[°C]
R
Datenblatt / Data sheet
thCA
80
thCA
80
[°C/W]
[°C/W]
3~
100
100
~
A 01/09
B6
B2
120
120
DD160N
I
D
I
D
Parameter:
Parameter:
+
-
+
-
140
140
0
0
40
100
80
120
200
I
160
D
[A]
I
D
[A]
D
D
tot
tot
300
200
Vorläufige Daten
Preliminary data
Seite/page
R-Last
240
400
thCA
thCA
L-Last
280
7/10
320
500