T2510N Infineon Technologies, T2510N Datasheet

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T2510N

Manufacturer Part Number
T2510N
Description
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of T2510N

Vdrm/ Vrrm (v)
200.0 - 600.0 V
Itsm
42,000.0 A
Itavm
2509 (180 ° el sin)
Housing
Disc dia 75mm height 26mm / Ceramic
Configuration
Phase Control Thyristors / SCR

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
T2510N04TOF
Manufacturer:
KYOCERA
Quantity:
12 000
Part Number:
T2510NH
Manufacturer:
ST
Quantity:
7 000
Part Number:
T2510NH
Manufacturer:
ST
0
IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann
N
Phase Control Thyristor
1) 600V auf Anfrage / 600V on request
Vorwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
Rückwärts-Stossspitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlassstrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Durchlaßstrom-Effektivwert
RMS on-state current
Stossstrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
I²t-value
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
Zündverzug
gate controlled delay time
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwärts- und Rückwärts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlassspannung
on-state voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
slope resistance
Durchlasskennlinie
on-state characteristic
Zündstrom
gate trigger current
Zündspannung
gate trigger voltage
Nicht zündender Steuerstrom
gate non-trigger current
Nicht zündende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
Haltestrom
holding current
Einraststrom
latching current
Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
approved by: M.Leifeld
prepared by: H.Sandmann
v
Netz-Thyristor
enndaten
T
A
B
i
T
600 A ≤ i
C
ln
i (
T
≤ 12600 A
T
Datenblatt / Data sheet
Elektrische Eigenschaften
1)
D
i
T
A 44/08
T2510N
T
T
T
T
T
T
T
T
T
DIN IEC 60747-6
f = 50 Hz, i
T
5.Kennbuchstabe / 5
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
T
v
DIN IEC 60747-6
T
T
i
GM
D
vj
vj
vj
C
C
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
vj
date of publication:
vj
= V
= 25 °C, i
= -40°C... T
= -40°C... T
= +25°C... T
= 85 °C
= 55 °C, θ = 180°sin, t
= 25 °C °C, t
= T
= 25 °C, t
= T
= T
= T
= T
= T
= T
= T
= 25 °C, v
= 25 °C, v
= T
= T
= T
= 25°C, v
= T
= 25°C, v
= 1A, di
DRM
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
vj max
, v
, t
, t
, v
GM
, i
, i
, v
, v
, v
G
R
revision:
GM
P
P
D
P
D
T
T
/dt = 1A/µs, t
D
D
D
D
D
D
= V
= 1A, di
= 10 ms
= 10 ms
= 10 ms
= 12V
= 6 kA
= 2,5 kA
= 0,67 V
vj max
vj max
= 12V
= 12V
= 12V, R
= 1A, di
vj max
= 12V
= 0,5 V
= 0,5 V
P
RRM
= 10 ms
th
G
letter F
DRM
DRM
/dt = 1A/µs
G
DRM
GK
2008-09-15
/dt = 1A/µs
P
g
≥ 10 Ω
= 10 ms
= 20 µs
3.0
V
V
V
I
I
I
I
I
I²t
(di
(dv
v
V
r
I
V
I
V
I
I
i
t
D
TRMSM
TAVM
TAVM
TRMS
TSM
GT
GD
H
L
gd
T
T
DRM
DSM
RSM
(TO)
GT
GD
, i
T
D
R
/dt)
/dt)
,V
cr
RRM
cr
C=
D=
A=
B=
Seite/page
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
max.
-3,346E-02
8,549E-01
4,318E-05
5,182E-03
46000
42000
10580
0,072 mΩ
4900 A
2510 A
3410 A
5350 A
8820
1000 V/µs
1200 mA
1,22
0,96
0,75 V
200
400
600
200
400
600
250
450
650
200 A/µs
250 mA
300 mA
150 mA
1,5 V
0,2 V
10
5
4 µs
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
10³ A²s
10³ A²s
V
V
mA
mA
1/10
1)

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T2510N Summary of contents

Page 1

... Vorwärts- und Rückwärts-Sperrstrom forward off-state and reverse current Zündverzug gate controlled delay time 1) 600V auf Anfrage / 600V on request prepared by: H.Sandmann approved by: M.Leifeld IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann T2510N T = -40°C... max Elektrische Eigenschaften T = -40°C... max T = +25° ...

Page 2

... Si-Element mit Druckkontakt Si-pellet with pressure contact Anpresskraft clamping force Steueranschlüsse control terminals Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann T2510N Thermische Eigenschaften vj vj max 100 / V/µs, - ...

Page 3

... N Datenblatt / Data sheet Netz-Thyristor Phase Control Thyristor Massbild 1 IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann T2510N 44/08 1: Anode / Anode 2: Kathode / Cathode 4: Gate 5: Hilfskathode/ Auxiliary Cathode Seite/page 3/10 ...

Page 4

... R [°C/W] thn kathodenseitig cathode-sided [s] n Analytische Funktion / Analytical function: 0,04 0,03 0,02 0,01 0,00 0,001 0,01 Transienter innerer Wärmewiderstand fü Transient thermal impedance for DC IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann T2510N 0,00022 0,00110 0,00102 0,00136 0,00306 0,01390 0,00065 0,0019 0,00239 0,00160 0,0091 0,07910 0,00055 0,00206 0,00604 0,00140 ...

Page 5

... Grenzdurchlasskennlinie / Limiting on-state characteristic i IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann T2510N Durchlasskennlinie ∆Z / ∆Z th Θ rec th Θ sin Θ = 180° Θ = 120° Θ = 90° 0,00188 0,00316 0,00413 0,00135 0,00198 0,00282 0,00185 ...

Page 6

... Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann T2510N Durchlassverluste 180° 60° θ = 30° 1000 1500 2000 I [A] TAV Sinusförmiger Strom / Sinusoidal current θ ...

Page 7

... Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperature T Parameter: Stromflusswinkel Θ / Current conduction angle Θ IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann T2510N Tc 180° 120° 90° 60° θ = 30° 2000 3000 I [A] TAV Rechteckförmiger Strom / Rectangular current 60° ...

Page 8

... Steuercharakteristik v Gate characteristic v Höchstzulässige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated peak gate power dissipation 40W / 10ms 10000 1000 1 Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Q IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann T2510N Steuerkennlinie i 1000 = mit Zündbereichen fü with triggering area for Zü ...

Page 9

... Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V Typical dependency of maximum overload on-state current I sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann T2510N Anzahl Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen Number of pulses for 50Hz sinusoidal half waves von der Anzahl fü ...

Page 10

... If and to the extent necessary, please forward equivalent notices to your customers. Changes of this product data sheet are reserved. IFBIP D AEC / 2008-09-15, H.Sandmann T2510N A 44/08 Seite/page 10/10 ...

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