T160N Infineon Technologies, T160N Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: T160N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of T160N

• Vdrm/ Vrrm (v): 1,200.0 - 1,800.0 V
• Itsm: 3,400.0 A
• Itavm: 160 (180 ° el sin)
• Housing: SW27 M12 + FL36 Flansch flange
• Configuration: Phase Control Thyristors / SCR

v
[V ]
Q
[µAs]
G
r
10
10
10
0,5
0,2
0,1
3 0
2 0
1 0
5
2
1
4
8
6
4
2
3
8
6
4
2
2
10
5
T160 N / 24
Bild / Fig. 24
Steuer cha rakter istik mit Zünd bereichen / G ate chara cteristic with triggin g
are as v
Par amete r:
–––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– –
Steuer imp ulsdauer / trigge r p uls du rati on t
–––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– –
Höchstzulässige Spitzensteu erverlustl eistung /
Max. rated peak gate p ower d issipa tion
–––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– ––––––– –
T 160 N / 26
Bild / Fig. 26
Spe rrverzögerun gsladung / Recovered charg e Q
t
Par amete r: Durchlaßstrom / On-state curre nt i
vj
0
= t
10
vj max
G
= f(i
2 0
, v
2
G
R
), V
= 0,5 V
3
50 1 00 200
D
mA
= 6 V
4
RRM
5
, v
RM
6 7 8
= 0,8 V
500
10
1
RRM
g
1
TM
[ms] 10
[W]
r
2
2
i
T M
200A
100A
= f(di/d t)
=
a
40
-di/dt [A/µs]
3
50A
20A
5
b
1
A
80
4
a
10
500A
i
G
5
b
c
0 ,5
1 00 1 50
2 0
6 7 8
c
d
d
0 ,1
1 0
50
2
t
[µs]
Z
[°C/W]
Analytische Ele me nte des tra nsienten Wä rme wid erstan des Z
Analytica l el ements of transient the rma l impe dance Z
Analytische Funktio n / Analytical functio n:
Z
gd
R
(th)JC
thJC
n
0 ,25
0 ,20
0 ,15
0 ,10
0 ,05
thn
10
10
[s]
0,4
0,2
0,1
Pos. n
40
20
10
4
6
4
2
1
0
[°C/W]
3
2
=
10
1
T 160 N / 25
Bild / Fig. 2 5
Zündverzug / Gate controlled dela y time t
t
a - Ma ximale r Verla uf / Limiting characteristic
b - Typ ischer Verla uf / Typical characteristic
T 160 N / 27
Bild / Fig. 2 7
Tra nsi enter in nerer Wärmewider stand / Tra nsie nt thermal impedan ce
Z
Para me ter : Stromflußwinkel / current co nductio n a ngle
vj
n
n=1
____
----- -
thJC
max
= 25 °C, di
2
20
R
= f(t)
thn
0,0083 2 0 ,02 43
0,0008 9 0 ,01 71
4
40 60 100 200 400
(1-e
1
G
10
120°
180°
-
/dt = i
30°
60°
90°
t
=
DC
n
mA
)
20 40
GM
2
ms
/1µs
0,0373
0,0905
100 200 400
3
0 ,03 7
0 ,41 3
1
4
gd
2
= f(i
1
thJC
0,0353
2,16
GM
4
2
p er arm for DC
5
)
6 10
thJC
4
A
pro Zweig für DC
t
vj
a
10
b
s
6
=25°C
i
20
T 160 N
GM
t
20 40
40 6 0 1 00
7
10 0