D820N Infineon Technologies, D820N Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: D820N
• Manufacturer: Infineon Technologies

Specifications of D820N

• Vrrm (max): 2,000.0 - 2,800.0 V
• Ifsm (max): 9,000.0 A
• Ifavm/tc: 818/100 (180 ° el sin)
• Housing: Disc dia 48mm height 14mm / Ceramic
• Features: Rectifier Diodes

IFBIP D AEC/ 2010-01-20, H.Sandmann
N
10000
Netz-Gleichrichterdiode
1000
100
10
Rectifier Diode
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0,1
1
Typical dependency of maximum overload on-state current I
Typische Abhängigkeit des Grenzstromes I
3
sinusoidal half waves at 50Hz. Parameter: peak reverse voltage V
Halbwellen bei 50Hz. Parameter: Rückwärtsspannung V
5
Datenblatt / Data sheet
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge
RC-Glied / RC-Network: R = 5,6Ω, C = 0,68µF
Number of pulses of 50Hz sinusoidal half waves
Anzahl der Pulse bei 50Hz Sinus Halbwellen
T
vj
I
= T
F(OV)M
7
1
Qr Diagramm
vjmax
= f (pulses, V
, v
R
D820N
A 14/10
≤ 0,5 V
Q
9
r
=f(-di/dt)
F(OV)M
RRM
RM
) ; T
, v
von der Anzahl für eine Folge von Sinus
RM
11
vj
= 0,8 V
= T
F(OV)M
vj max
RRM
as a number of a sequence of
13
10
-di/dt [A/µs]
RM
15
RM
Seite/page
0,33 V
0,67 V
0-50V
17
RRM
RRM
i
1600A
FM
800A
400A
200A
100A
50A
=
19
7/8
100