MT8HTF6464AY-667B3 Micron Technology Inc, MT8HTF6464AY-667B3 Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: MT8HTF6464AY-667B3
• Description: MODULE SDRAM DDR2 512MB 240DIMM
• Manufacturer: Micron Technology Inc

Specifications of MT8HTF6464AY-667B3

• Memory Type: DDR2 SDRAM
• Memory Size: 512MB
• Speed: 667MT/s
• Package / Case: 240-DIMM
• Main Category: DRAM Module
• Sub-category: DDR2 SDRAM
• Module Type: 240UDIMM
• Device Core Size: 64b
• Organization: 64Mx64
• Total Density: 512MByte
• Chip Density: 512Mb
• Maximum Clock Rate: 667MHz
• Operating Supply Voltage (typ): 1.8V
• Operating Current: 1.44A
• Number Of Elements: 8
• Operating Supply Voltage (max): 1.9V
• Operating Supply Voltage (min): 1.7V
• Operating Temp Range: 0C to 70C
• Operating Temperature Classification: Commercial
• Pin Count: 240
• Mounting: Socket
• Lead Free Status / RoHS Status: Lead free / RoHS Compliant

Functional Block Diagram
Figure 2: Functional Block Diagram – Raw Card D
PDF: 09005aef80e2ff8d
htf8c32_64_128x64aypdf - Rev. G 3/10 EN
S0#
V
SS
DQS2#
DQS1#
DQS3#
DQS0#
DQS1
DQS2
DQS0
DQS3
DM1
DM2
DM0
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DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
256MB, 512MB, 1GB (x64, SR) 240-Pin DDR2 SDRAM UDIMM
U1
U2
U3
U4
DQS4#
DQS5#
DQS6#
DQS7#
DQS4
DQS5
DQS6
DQS7
DM4
DM5
DM6
DM7
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
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DQ40
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DQ63
7
DQ
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DQ
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DQ
DQ
DQ
DQ
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
DM CS# DQS DQS#
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
U6
U7
U8
U9
V
DD
Functional Block Diagram
BA[2/1:0]
V
/V
A[13:0]
DDSPD
V
ODT0
DD
RAS#
CAS#
CKE0
V
WE#
REF
SCL
Q
SS
CK0#
CK1#
CK2#
CK0
CK1
CK2
V
V
SS
SS
WP
V
SPD EEPROM
© 2003 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
SS
SA0 SA1 SA2
A0
U5
A1
BA[2/1:0]: DDR2 SDRAM
A[13:0]: DDR2 SDRAM
RAS#: DDR2 SDRAM
CAS#: DDR2 SDRAM
WE#: DDR2 SDRAM
CKE0: DDR2 SDRAM
ODT0: DDR2 SDRAM
A2
U4, U6
U1–U3
U7–U9
SPD EEPROM
DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
SDA