PBRP113ZT NXP Semiconductors, PBRP113ZT Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: PBRP113ZT
• Description: TRANSISTOR,PNP,W/RES,40V,0.8A,SOT23
• Manufacturer: NXP Semiconductors

Specifications of PBRP113ZT

• Transistor Polarity: PNP
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -40V
• Power Dissipation Pd: 250mW
• Dc Collector Current: -600mA
• Operating Temperature Range: -55°C To +150°C
• Transistor Case: RoHS Compliant
• Dc Current Gain Hfe: 320
• Rohs Compliant: Yes

NXP Semiconductors
PBRP113ZT_1
Product data sheet
Fig 5. DC current gain as a function of collector
Fig 7. Collector-emitter saturation voltage as a
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
h
CEsat
(V)
10
10
FE
10
10
10
1
1
3
2
1
2
V
current; typical values
I
function of collector current; typical values
10
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
CE
1
/I
B
1
= 5 V
= 50
= 100 C
= 25 C
= 40 C
= 100 C
= 25 C
= 40 C
1
10
(1)
(2)
(3)
10
(1)
(2)
(3)
10
2
10
I
C
2
I
006aab079
006aab081
(mA)
C
(mA)
Rev. 01 — 16 January 2008
10
10
3
3
PNP 800 mA, 40 V BISS RET; R1 = 1 k , R2 = 10 k
Fig 6. Collector-emitter saturation voltage as a
Fig 8. Collector-emitter saturation voltage as a
V
V
(1) T
(2) T
(3) T
(1) T
(2) T
(3) T
CEsat
CEsat
(V)
(V)
10
10
10
10
1
1
2
1
2
I
function of collector current; typical values
I
function of collector current; typical values
C
C
amb
amb
amb
amb
amb
amb
1
1
/I
/I
B
B
= 20
= 100
= 100 C
= 25 C
= 40 C
= 100 C
= 25 C
= 40 C
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
(3)
PBRP113ZT
10
10
2
2
I
I
© NXP B.V. 2008. All rights reserved.
C
C
(mA)
(mA)
006aab080
006aab082
10
10
3
3
7 of 12