PBSS5160T NXP Semiconductors, PBSS5160T Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: PBSS5160T
• Description: 60V 1A PNP low VCEsat (BISS) transistor
• Manufacturer: NXP Semiconductors

Philips Semiconductors
2004 May 27
handbook, halfpage
handbook, halfpage
60 V, 1 A
PNP low V
V CEsat
V CEsat
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.6
T
(1) I
(2) I
Fig.8
C
amb
(V)
(V)
/I
10
10
B
10
10
= 20.
10
10
C
C
= 25 C.
amb
amb
amb
/I
/I
1
1
1
2
1
2
10
10
B
B
= 100.
= 50.
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
1
1
CEsat
(2)
10
10
(1)
(3)
(1)
(2)
(BISS) transistor
10
10
2
2
10
10
I C (mA)
3
3
I C (mA)
MLE126
MLE120
10
10
4
4
6
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V CEsat
V BEsat
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.7
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.9
C
C
(V)
/I
/I
(V)
B
B
10
10
10
1.2
0.8
0.6
0.4
0.2
= 10.
= 20.
amb
amb
amb
amb
amb
amb
1
1
1
2
3
10
10
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 55 C.
= 25 C.
= 100 C.
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
1
1
(2)
10
10
(1)
(3)
10
10
(1)
(2)
(3)
www.DataSheet4U.com
2
2
PBSS5160T
Product specification
10
10
I C (mA)
I C (mA)
3
3
MLE123
MLE119
10
10
4
4