tpc8120 TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tpc8120 Datasheet
tpc8120
Manufacturer Part Number
tpc8120
Description
???????????? ????P????MOS? (U-MOS?)
Manufacturer
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet
1.TPC8120.pdf
(7 pages)
Available stocks
Company
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Manufacturer
Quantity
Price
Company:
Part Number:
TPC8120
Manufacturer:
AnaSem
Quantity:
6 500
Part Number:
TPC8120
Manufacturer:
TOSHIBA/东芝
Quantity:
20 000
○ リチウムイオン２次電池用
○ パワーマネジメントスイッチ用
•
•
•
•
•
絶対最大定格
小型､薄型で実装面積が小さい。
オン抵抗が低い。
順方向伝達アドミタンスが高い。
漏れ電流が低い。
取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプ。
ド レ イ ン ･ ソ ー ス 間 電 圧
ゲ ー ト ･ ド レ イ ン 間 電 圧
(R
ゲ ー ト ･ ソ ー ス 間 電 圧
ド レ イ ン 電 流
許
許
アバランシェエネルギー (単発) (注 3)
ア
ア バ ラ ン シ ェ エ ネ ル ギ ー ( 連 続 )
チ
保
注:
この製品は MOS 構造です。取り扱いの際には静電気にご注意ください。
GS
バ
= 20 kΩ)
容
容
(注１), (注 2), (注 3), (注 4) は次頁を参照ください。
本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内で
の使用においても, 高負荷 (高温および大電流/高電圧印加, 多大な
温度変化等) で連続して使用される場合は, 信頼性が著しく低下す
るおそれがあります。
弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いお
よびディレーティングの考え方と方法) および個別信頼性情報 (信
頼性試験レポート, 推定故障率等) をご確認の上, 適切な信頼性設
計をお願いします。
ャ
ラ
損
損
存
項
ネ
ン
(Ta = 25°C)
失 (t = 10 s) (注 2a)
失 (t = 10 s) (注 2b)
東芝電界効果トランジスタ シリコンPチャネルMOS形 (U-MOSⅥ)
シ
ル
: R
: |Y
: I
: V
D
パルス
目
温
(注 2a) (注 4)
DSS
ェ
DS (ON)
th
fs
C
温
= −0.8~−2.0 V (V
| = 80 S (標準)
= −10 μA (最大) (V
電
(注 1)
(注 1)
= 2.6 mΩ (標準)
流
度
度
記 号
V
V
V
E
E
T
I
I
T
P
P
DGR
GSS
DSS
I
DP
AR
AS
AR
stg
D
ch
D
D
TPC8120
DS
DS
= −10 V, I
= −30 V)
定
−55~150
−25/+20
0.03
−30
−30
−18
−72
211
−18
150
1.9
1.0
1
D
格
= −1 mA)
単位
mJ
mJ
°C
°C
W
W
V
V
V
A
A
質量: 0.080 g (標準)
回路構成
JEDEC
JEITA
東 芝
8
1
7
2
2-6J1B
6
3
2009-07-07
TPC8120
―
―
5
4
単位: mm
Related parts for tpc8120
Image
Part Number
Description
Manufacturer
Datasheet
Request
R
Part Number:
Description:
Toshiba Semiconductor [TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
Toshiba Semiconductor [SILICON N CHANNEL 1GBT]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
Toshiba Semiconductor [GTR Module Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
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Description:
Toshiba Semiconductor [Power Module]
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR MODULE SILICON NPN TRIPLE DIFFUSED TYPE
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE SILICON N CHANNEL LGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA IGBT Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR MODULE SILICON N−CHANNEL IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA INTELLIGENT POWER MODULE
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
Part Number:
Description:
TOSHIBA Intelligent Power Module Silicon N Channel IGBT
Manufacturer:
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet:
tpc8120 Summary of contents
Page 1
... 211 AS −18 流 0. 150 度 ch −55~150 T 度 stg 1 TPC8120 単位 JEDEC W JEITA W 東 芝 2-6J1B mJ 質量: 0.080 g (標準 回路構成 °C ° 2009-07-07 単位: mm ― ...
Page 2
... FR-4 (単位: mm Ω − TPC8120 FR-4 25.4 × 25.4 × 0.8 (単位: mm) (b) 2009-07-07 ...
Page 3
... (Ta = 25°C) 記 号 測 定 条 件 (注 DRP = − DSF TPC8120 最小 標準 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ −30 ⎯ (注 7) −21 ⎯ = −1 mA −0.8 ⎯ = −9 A ⎯ ...
Page 4
... V 100 ソース接地 25°C パルス測定 0.1 −100 −0.1 4 TPC8120 I – − −2.8 −3 2.6 −2.5 −3.5 −2.4 −2 −2.2 V ソース接地 ...
Page 5
... −1 mA パルス測定 0 −100 −80 −40 (V) − −24V − −12 −10 −6 0 160 200 0 5 TPC8120 I – −3 −4.5 − 0,1 V ソース接地 25°C パルス測定 0.2 0.4 0.6 0 – ...
Page 6
... V DSS max −0.1 −0.1 −1 −10 ドレイン･ソース間電圧 − 0 パルス幅 −100 (V) 6 TPC8120 (2) (1) 単発パルス 100 1000 2009-07-07 ...
Page 7
... TPC8120 2009-07-07 ...