2SJ645 Sanyo Semicon Device, 2SJ645 Datasheet

2SJ645

Manufacturer Part Number

2SJ645

Description

P CHANNEL MOS SILICON TRANSISTOR

Manufacturer

Sanyo Semicon Device

Datasheet

1.2SJ645.pdf (2 pages)

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Manufacturer

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Price

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

2SJ645

Manufacturer:

NEC/RENESAS

Quantity:

12 500

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注文コード No. N 0 0 0 0

〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号

特長

絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃

電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃

外形図 2083B

(unit : mm)

ドレイン・ソース電圧

ゲート・ソース電圧

ドレイン電流（DC）

ドレイン電流（パルス）

許容損失

チャネル温度

保存周囲温度

ドレイン・ソース降伏電圧

ドレイン・ソースしゃ断電流

ゲート・ソースもれ電流

ゲート・ソースしゃ断電圧

順伝達アドミタンス

0.85

0.6

・低オン抵抗。

・2.5V 駆動。

0.7

本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を要する用途（生命維持装置、航空機のコントロールシステム等、

多大な人的・物的損害を及ぼす恐れのある用途）に対応する仕様にはなっておりません。そのような場合に

は、あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下さい。

本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果発生した機器の欠陥

について、弊社は責任を負いません。

2.3

2SJ645

6.5

5.0

2.3

0.5

1.2

V DSS

V GSS

I D

I DP

P D

Tch

Tstg

V (BR)DSS

I DSS

I GSS

V GS (off)

0.5

1 : Gate

2 : Drain

3 : Source

4 : Drain

SANYO : TP

PW ≦ 10 s, duty cycle ≦ 1%

Tc=25℃

I D = − 1mA, V GS =0

V DS = − 20V, V GS =0

V GS = ± 8V, V DS =0

V DS = − 10V, I D = − 1mA

V DS = − 10V, I D = − 4A

P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ

超高速スイッチング用

2SJ645

外形図 2092B

(unit : mm)

0.85

0.6

2.3

6.5

5.0

2.3

− 0.4

− 20

− 55 ∼＋ 150

min

HD 020610 ◎圓井 No.0000-1/2

5.6

0.5

1.2

0∼0.2

2.3

− 20

± 10

− 32

− 8

150

typ

0.5

次ページへ続く。

1 : Gate

2 : Drain

3 : Source

4 : Drain

SANYO : TP-FA

− 1.4

unit

No.

± 10

℃

max

− 1

00000

N 0 0 0 0

unit

新

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