pbss4350z NXP Semiconductors, pbss4350z Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: pbss4350z
• Description: 50 V Low Vcesat Npn Transistor
• Manufacturer: NXP Semiconductors

Philips Semiconductors
2003 May 13
handbook, halfpage
handbook, halfpage
50 V low V
V CEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.2
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.4
C
(mV)
CE
h FE
/I
B
600
500
400
300
200
100
= 2 V.
10
10
= 20.
10
amb
amb
amb
amb
amb
amb
1
0
10
10
3
2
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
Collector-emitter saturation as a function of
collector current; typical values.
1
1
1
1
CEsat
10
10
(1)
(2)
(3)
NPN transistor
10
10
(1)
(3)
2
2
(2)
10
10
3
I C (mA)
I C (mA)
3
MGW175
MGW181
10
10
4
4
5
handbook, halfpage
handbook, halfpage
V BEsat
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.3
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
(V)
C
V BE
(V)
CE
/I
B
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
= 2 V.
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
= 20.
amb
amb
amb
amb
amb
amb
0
10
0
10
= 55 C.
= 25 C.
= 150 C.
= 150 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
Base-emitter voltage as a function of
collector-current; typical values.
1
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
10
10
(1)
(2)
(3)
10
10
(1)
(2)
(3)
2
2
PBSS4350Z
Product specification
10
10
3
I C (mA)
3
I C (mA)
MGW176
MGW178
10
10
4
4