pbss9110t NXP Semiconductors, pbss9110t Datasheet - Page 7

• Manufacturer Part Number: pbss9110t
• Description: 100 V, 1 A Pnp Low Vcesat Biss Transistor
• Manufacturer: NXP Semiconductors

Philips Semiconductors
2004 May 13
100 V, 1 A
PNP low V
V
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.5
I
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.7
C
h
CEsat
CE
(V)
/I
10
10
FE
B
600
400
200
= 10 V.
= 10.
0
1
amb
amb
amb
1
2
amb
amb
amb
10
10
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
= 100 C.
= 25 C.
= 55 C.
1
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
1
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
(1)
(2)
(3)
CEsat (BISS)
10
10
(1)
(2)
(3)
10
10
2
2
transistor
10
10
001aaa378
001aaa376
3
I
3
I
C
C
(mA)
(mA)
10
10
4
4
7
V
V
(1) T
(2) T
(3) T
Fig.6
T
(1) I
(2) I
Fig.8
V
CEsat
CE
amb
(V)
(V)
10
10
BE
1.2
0.8
0.4
= 10 V.
C
C
= 25 C.
0
1
amb
amb
amb
1
2
/I
/I
10
10
B
B
= 50.
= 20.
= 55 C.
= 25 C.
= 100 C.
1
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
1
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
1
1
10
10
(1)
(2)
(3)
(1)
(2)
10
10
2
2
PBSS9110T
Product specification
10
10
001aaa380
001aaa377
3
I
3
I
C
C
(mA)
(mA)
10
10
4
4