MT9HTF6472FY-667D5E4 Micron Technology Inc, MT9HTF6472FY-667D5E4 Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: MT9HTF6472FY-667D5E4
• Manufacturer: Micron Technology Inc

Specifications of MT9HTF6472FY-667D5E4

• Main Category: DRAM Module
• Sub-category: DDR2 SDRAM
• Module Type: 240FBDIMM
• Device Core Size: 72b
• Organization: 64Mx72
• Total Density: 512MByte
• Chip Density: 512Mb
• Package Type: FBDIMM
• Maximum Clock Rate: 667MHz
• Operating Supply Voltage (typ): 1.8V
• Number Of Elements: 9
• Operating Supply Voltage (max): 1.9V
• Operating Supply Voltage (min): 1.7V
• Operating Temp Range: 0C to 95C
• Operating Temperature Classification: Commercial
• Pin Count: 240
• Mounting: Socket
• Lead Free Status / Rohs Status: Compliant

Functional Block Diagram
Figure 3: Functional Block Diagram
General Description
PDF: 09005aef81a2f1eb
htf9c64_128x72fy.pdf - Rev. C 12/09 EN
U1–U2, U4–U8, U10–U11
signals to DDR2 channel
SCL
CS0#
Data input/output
V
WP
SS
SPD EEPROM
controller
controller
SA0 SA1 SA2
A0
DQS3#
DQS0#
DQS1#
DQS2#
In from
DQS1
DQS2
DQS3
U9
DQS0
Out to
DM5
DM0
DM5
DM2
A1
Micron’s FBDIMM devices adhere to the currently proposed industry specifications for
FBDIMMs. The following specifications contain detailed information on FBDIMM de-
sign, interfaces, and theory of operation and are listed here for the system designers’
convenience. Refer to the JEDEC Web site for available specifications.
A2
DQS#[8:0]
SCK, SCK#
PN#[13:0]
DQ[63:0]
DQS[8:0]
PN[13:0]
PS#[9:0]
DM[8:0]
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
CB[7:0]
SA[2:1]
RESET#
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
PS[9:0]
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
SDA
SA0
SCL
SDA
DM/
RDQS
DM/
RDQS
DM/
RDQS
DM/
RDQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
U3
CS#
CS#
CS#
CS#
M
A
B
U11
U10
U1
U2
512MB, 1GB (x72, SR) 240-Pin DDR2 SDRAM FBDIMM
DQS
DQS
DQS
DQS
Command, address, and clock line terminations:
DQS#
CAS#, A[15:0],
DQS#
DQS#
DQS#
WE#, BA[2:0]
ODT0, CS0#,
RAS#, CKE0,
CK1, CK1#,
CK0,CK0#,
SN[13:0]
SN#[13:0]
SS[9:0]
SS#[9:0]
A[15:0]
RAS#, CAS#
WE#, ODT0
CS0#
CKE0
CK0, CK0#
CK1, CK1#
Command, address, and
clock signals to DDR2 channel
U1–U2, U4–U8, U10–U11
In from
adjacent FBDIMM
Out to
adjacent FBDIMM
6
V
TT
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.
DQS8#
DQS4#
DQS5#
DQS6#
DQS7#
DQS4
DQS5
DQS7
DQS8
DQS6
DM4
DM7
DM8
V
DM5
DM6
DDSPD
V
V
V
V
V
REF
DD
CC
TT
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
CB0
CB1
CB2
CB3
CB4
CB5
CB6
CB7
DM/
RDQS
DM/
RDQS
DM/
RDQS
DM/
RDQS
DM/
RDQS
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
DQ
Functional Block Diagram
CS#
CS#
CS#
CS#
CS#
U4
U7
U5
U6
U8
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS
DQS#
DQS#
DQS#
DQS#
DQS#
© 2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
Terminators
SPD EEPROM, AMB
AMB
DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
DDR2 SDRAM
SPD EEPROM, AMB