GT60M324 Toshiba, GT60M324 Datasheet

GT60M324

Manufacturer Part Number

GT60M324

Description

Discrete IGBT

Manufacturer

Toshiba

Datasheet

1.GT60M324.pdf (6 pages)

Available stocks

Company

Part Number

Manufacturer

Quantity

Price

Company:

Bonase Electronics (HK) Co., Limited

Part Number:

GT60M324

Manufacturer:

SGM

Quantity:

2 000

Company:

Amily Shenzhen XNWY Technology Co., Ltd

Part Number:

GT60M324

Company:

H&T Electronics

Part Number:

GT60M324

Quantity:

6 000

Company:

H&T Electronics

Part Number:

GT60M324

Quantity:

6 000

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○ 民生用

○ 電圧共振インバータスイッチング専用

○ 第 6 世代

•

絶対最大定格

現品表示

高速 FRD を内蔵しています。

取り扱いが簡単なエンハンスメントタイプです。

スイッチング時間が速い。 IGBT : t

飽和電圧が低い。

接合温度が高い。

コレクタ･エミッタ間電圧

ゲート・エミッタ間電圧

コレクタ電流

ダ

順

コ

接

保

注:

注 1:ロット No.の下線は、製品ラベルに記載される表示を識別するものです。

本製品の RoHS 適合性など、詳細につきましては製品個別に必ず弊社営業窓口

までお問合わせください。

RoHS 指令とは、「電気電子機器に含まれる特定有害物質の使用制限(RoHS)に関する

2003 年 1 月 27 日付けの欧州議会および欧州理事会の指令(EU 指令 2002/95/EC)」のことです。

TOSHIBA

60 M324

レ

イ

一般的に IGBT の損失は、正の温度係数を持ち高温になる程、損失は増加します。IGBT の損失による温度上昇が

機器の放熱能力を上回ると熱暴走に至り破壊しますので、機器の放熱設計の際には IGBT の温度上昇を充分考慮

ください。

[[G]]/RoHS COMPATIBLE or [[G]]/RoHS [[Pb]]

本製品の使用条件 (使用温度/電流/電圧等) が絶対最大定格以内での使用においても、高負荷 (高温および大電

流/高電圧印加、多大な温度変化等) で連続して使用される場合は、信頼性が著しく低下するおそれがあります。

弊社半導体信頼性ハンドブック (取り扱い上のご注意とお願いおよびディレーティングの考え方と方法) およ

び個別信頼性情報 (信頼性試験レポート、推定故障率等) をご確認の上、適切な信頼性設計をお願いします。

ク

電

オ

合

存

項

タ

ー

(Ta = 25°C)

損

東芝伝導度変調型電界効果トランジスタシリコンNチャネルIGBT

ド

流

失 (Tc = 25°C)

ロット No.

目

製品名 (または略号)

注１

温

1 ms

FRD : t

Tj = 175℃ (最大)

CE (sat)

度

= 1.70 V (標準) (I

= 0.8 μs (標準) (di/dt = -20 A/μs)

= 0.11 μs (標準) (I

記号

GT60M324

GES

CES

stg

定

-40~175

C =

= 60 A)

± 25

900

120

254

175

60 A)

格

単位

°C

等価回路

ゲート

質量: 4.6 g (標準)

JEDEC

JEITA

東芝

コレクタ

エミッタ

2-16C1C

2009-02-09

GT60M324

―

単位: mm

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GT60M324 Summary of contents

Page 1

... 120 FP P 254 C 度 T 175 j 度 T -40~175 stg 1 GT60M324 単位 JEDEC ― A JEITA ― 2-16C1C 東芝 W 質量: 4.6 g (標準) °C °C 等価回路コレクタゲートエミッタ ...

Page 2

... G (注 2) ⎯ 0. ⎯ 1 di/dt = −20 A/μs ⎯ 0.8 ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ ⎯ 90% 10% 90% 10% 10 off on GT60M324 最大単位 ± 500 7.5 V 1.60 V 1.85 2.00 ⎯ pF ⎯ ⎯ μs 0.22 ⎯ 1.9 V μs － 0.59 °C/W 4.0 °C/W 2009-02-09 ...

Page 3

... – 120 エミッタ接地 100 − 150° ゲート・エミッタ間電圧 GT60M324 5 (V) 4 (V) 12 (V) 2009-02-09 ...

Page 4

... IGBT 部 − − − − 5 − 4 − 3 − 2 − パルス幅 t (s) w GT60M324 1000 (V) t off 2009-02-09 ...

Page 5

... 25°C 0.75 0.5 0.25 0 150 200 250 – コレクタ接地 di/dt = −20 A/μ 25° 順電流 I (A) F GT60M324 2.5 2 1 2009-02-09 ...

Page 6

... GT60M324 2009-02-09 ...

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