PMEGXX05EH_EJ_SER NXP Semiconductors, PMEGXX05EH_EJ_SER Datasheet - Page 6

• Manufacturer Part Number: PMEGXX05EH_EJ_SER
• Description: Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with anintegrated guard ring for stress protection encapsulated in small SMD package
• Manufacturer: NXP Semiconductors

NXP Semiconductors
PMEGXX05EH_EJ_SER_2
Product data sheet
Fig 1.
Fig 3.
(mA)
I
10
10
(1) T
(2) T
(3) T
(4) T
(5) T
F
10
10
10
−1
−2
1
3
2
0
as a function of forward voltage; typical values
T
PMEG2005EH, PMEG2005EJ: Forward current
PMEG2005EH, PMEG2005EJ: Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values
amb
amb
amb
amb
amb
amb
(1)
= 150 °C
= 125 °C
= 85 °C
= 25 °C
= −40 °C
= 25 °C; f = 1 MHz
0.1
(2)
(3)
0.2
(4)
0.3
(pF)
C
(5)
120
d
80
40
0
0
0.4
006aaa247
V
F
(V)
Rev. 02 — 13 January 2010
4
0.5
8
Fig 2.
0.5 A very low V
12
(μA)
I
R
PMEGxx05EH/EJ series
10
10
10
(1) T
(2) T
(3) T
(4) T
(5) T
10
10
10
10
10
−1
−2
−3
1
5
4
3
2
0
PMEG2005EH, PMEG2005EJ: Reverse current
as a function of reverse voltage; typical values
16
amb
amb
amb
amb
amb
006aaa249
V
R
= 150 °C
= 125 °C
= 85 °C
= 25 °C
= −40 °C
(V)
4
20
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
F
MEGA Schottky barrier rectifiers
8
12
© NXP B.V. 2010. All rights reserved.
16
006aaa248
V
R
(V)
20
6 of 13