PMEGXX05EH_EJ_SER NXP Semiconductors, PMEGXX05EH_EJ_SER Datasheet - Page 8

no-image

PMEGXX05EH_EJ_SER

Manufacturer Part Number
PMEGXX05EH_EJ_SER
Description
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with anintegrated guard ring for stress protection encapsulated in small SMD package
Manufacturer
NXP Semiconductors
Datasheet
NXP Semiconductors
PMEGXX05EH_EJ_SER_2
Product data sheet
Fig 7.
Fig 9.
(mA)
I
10
10
(1) T
(2) T
(3) T
(4) T
(5) T
F
10
10
10
−1
−2
1
3
2
0
as a function of forward voltage; typical values
T
PMEG4005EH, PMEG4005EJ: Forward current
PMEG4005EH, PMEG4005EJ: Diode capacitance as a function of reverse voltage; typical values
amb
amb
amb
amb
amb
amb
(1)
= 150 °C
= 125 °C
= 85 °C
= 25 °C
= −40 °C
= 25 °C; f = 1 MHz
0.1
(2)
(3)
0.2
(4)
0.3
(5)
(pF)
0.4
C
100
d
80
60
40
20
0
0
0.5
006aaa253
V
F
(V)
Rev. 02 — 13 January 2010
0.6
10
20
Fig 8.
0.5 A very low V
(μA)
I
R
PMEGxx05EH/EJ series
10
10
10
(1) T
(2) T
(3) T
(4) T
(5) T
10
10
10
10
10
−1
−2
−3
1
5
4
3
2
30
0
PMEG4005EH, PMEG4005EJ: Reverse current
as a function of reverse voltage; typical values
amb
amb
amb
amb
amb
006aaa255
V
R
= 150 °C
= 125 °C
= 85 °C
= 25 °C
= −40 °C
(V)
40
10
F
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
MEGA Schottky barrier rectifiers
20
30
© NXP B.V. 2010. All rights reserved.
006aaa254
V
R
(V)
40
8 of 13

Related parts for PMEGXX05EH_EJ_SER