tb7106f TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tb7106f Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: tb7106f
• Description: ???dc-dc?????ic
• Manufacturer: TOSHIBA Semiconductor CORPORATION

電気的特性共通事項
応用回路例
C
出力電圧設定
OUT
できる状態での規定です。
部品定数 (参考値@V
部品定数設定例 (参考値)
部品定数は､入出力条件および基板レイアウト等により設定が必要です。
1.51 V
V
C
1.2 V
1.8 V
2.5 V
3.3 V
5.0V
C
C
R
R
C
R
L
SBD
C
各項目測定条件内の T
OUT
SS
に低 ESR の電解コンデンサまたはセラミックコンデンサを使用した標準的な応用例
V
EN
P
P
GND
IN
OUT
FB1
FB2
BOOT
IN
はソフトスタート時間を可変するためのコンデンサです。
=4.5V～20V
C
IN
: インダクタ 10μH (TDK-EPC 株式会社 SLF10165T-100M3R83PF
: ショットキバリアダイオード (株式会社東芝 CMS02 または CRS30I30A)
: 位相補償回路コンデンサ
: 位相補償回路抵抗
: 入力平滑用コンデンサ 10 μF (セラミックコンデンサ: 株式会社村田製作所 GRM31CR71E106K)
: 出力平滑用コンデンサ 22 μF×2
: 出力電圧設定用抵抗 7.5 kΩ
: 出力電圧設定用抵抗 2.4 kΩ
: ブートストラップコンデンサ 0.1μF (株式会社村田製作所 GRM188R71H104J)
インダクタンス
(セラミックコンデンサ: 株式会社村田製作所 GRM31CB31C226ME15L)
6.8 μH
6.8 μH
6.8 μH
10 μH
10 μH
10 μH
L
R
C
IN
P
P
COMP
= 12 V, V
または株式会社村田製作所 LQH88PN100M38)
j
SS
= 25°C とは､パルス試験を実施しチップの接合部温度上昇による特性値のドリフトを無視
EN
コンデンサ容量
C
入力平滑
SS
10 μF
10 μF
10 μF
10 μF
10 μF
10 μF
OUT
C
IN
= 3.3 V, Ta = 25
TB7106F
図 1 TB7106F 応用回路例
V
コンデンサ容量
IN
GND
出力平滑
C
44 μF
44 μF
44 μF
44 μF
44 μF
44 μF
OUT
BOOT
o
C)
C
5
BOOT
V
L
FB
X
SBD
フィードバック
7.5 kΩ
5.1 kΩ
7.5 kΩ
16 kΩ
15 kΩ
27kΩ
R
抵抗
FB1
フィードバック
R
L
R
FB1
FB2
2.4 kΩ
2.4 kΩ
5.1kΩ
15 kΩ
18 kΩ
12 kΩ
R
抵抗
FB2
コンデンサ
位相補償
4700pF
4700pF
2200pF
2200pF
2200pF
2200pF
C
P
2011-04-25
C
TB7106F
OUT
位相補償
10 kΩ
12 kΩ
15 kΩ
22 kΩ
27 kΩ
33 kΩ
V
抵抗
GND
R
OUT
P