tb7106f TOSHIBA Semiconductor CORPORATION, tb7106f Datasheet - Page 6

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tb7106f

Manufacturer Part Number
tb7106f
Description
???dc-dc?????ic
Manufacturer
TOSHIBA Semiconductor CORPORATION
Datasheet
応用方法
位相補償回路の設定
位相補償の定数は下記計算値を目安とします。
インダクタの選定
を考慮して最適な定数を設定してください。
出力電圧の設定
割抵抗によって出力電圧を設定します。出力電圧は (2) 式から求められます。なお、R
は、フィードバック端子の寄生容量により遅れ時間が発生しますので、R
電圧精度を確保するため±1%以下の高精度抵抗の使用を推奨します。
が低い使用条件では、スイッチング波形が不安定になり出力電圧リップルが増大することがあります。このときは出
力平滑用コンデンサの値を大きくすると改善される場合があります。実際のセットの使用条件で十分な評価を実施し
てください。
本製品は、位相補償端子(COMP)に位相補償のため、抵抗(Rp)とコンデンサ(Cp)を直列に接続して使用します。
インダクタンスは、(1) 式より求められます。
V
本製品は、フィードバック端子(V
位相補償の最適値は出力平滑用コンデンサ(C
IN
*: 通常、ΔI
L
L
V
F0
Fz
= 12 V, V
OUT
は 0.9A 程度になります。インダクタの定格電流はピーク電流となる 3.5A 以上の製品を選定してください。
インダクタの定格電流を越えた場合、インダクタが磁気飽和して DC-DC コンバータとしての動作が不安定に
なる恐れがあります。
=
=
=
=
=7.0μH
=
V
V
380kHz
12
IN
IN
f
f
2
1
osc
osc
=
1
π
=
V
V
0
OUT
L
.
Δ ⋅
Δ ⋅
FB
V
V
8
Cp
R
は最大出力電流の 30%程度に設定します。 本製品では、出力電流 I
OUT
OUT
V
I
I
3.3
L
L
FB1
1
0.9A
×
= 3.3 V の条件では、次のようにインダクタンスを算出できます。 インダクタンスは入力電圧範囲
1
Rp
R
V
1
+
+
FB2
+
V
V
R
R
R
V
V
OUT
OUT
R
R
FB2
FB1
IN
IN
3.3
2 1
FB2
FB1
FB2
V
V
········· (1)
Gm(EA)Rp
······ (2)
FB
)に接続されたエラーアンプの基準電圧 0.8 V (標準) を基に、R
OUT
Gm(IS)
V
V
C
IN
OUT
)の特性等により変化することがあります。低温や出力電圧設定
OUT
I
L
: 入力電圧 (V)
: 出力電圧 (V)
6
0
T =
F0=ループゲインが 0dB となる周波数
Fz=進み補償のためのゼロを作る周波数
Gm(EA)=エラーアンプ Gm:200(μS)(設計値)
Gm(Is)=電流検出回路 Gm:7(S)(設計値)
f
osc
1
:スイッチング周波数の 1/10 程度に設定します
:F0 の 1/10 程度に設定します
図 2 インダクタ電流波形
図 3 出力電圧設定抵抗
V
L
FB
X
FB1
は 30 kΩ程度を最大としてください。 出力
f
ΔI
osc
L
: 発振周波数 (Hz) = 380kHz (標準)
: インダクタのリップル電流 (A)
OUT
FB1
= 3A (最大) であるため、ΔI
の値が極端に大きい場合に
V
OUT
T
ON
FB1
=
2011-04-25
Τ
TB7106F
と R
V
V
OUT
IN
FB2
の分
L

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