BSM35GD120DN2E3224 Infineon Technologies, BSM35GD120DN2E3224 Datasheet
BSM35GD120DN2E3224
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... BSM 35 GD 120 DN2 E3224 IGBT Power Module • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate Type BSM 35 GD 120 DN2 BSM35GD120DN2E3224 Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage Gate-emitter voltage ...
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BSM 35 GD 120 DN2 E3224 Electrical Characteristics Parameter Static Characteristics Gate threshold voltage 1 CE, C Collector-emitter saturation voltage ...
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BSM 35 GD 120 DN2 E3224 Electrical Characteristics Parameter Switching Characteristics, Inductive Load at T Turn-on delay time V = 600 Gon Rise time V = 600 ...
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BSM 35 GD 120 DN2 E3224 Power dissipation = ( tot C parameter: T 150 °C j 300 W 260 240 P tot 220 200 180 160 140 120 100 ...
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BSM 35 GD 120 DN2 E3224 Typ. output characteristics parameter µ ° 17V 15V I 55 13V C 11V ...
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BSM 35 GD 120 DN2 E3224 Typ. gate charge = ( Gate parameter puls 600 ...
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BSM 35 GD 120 DN2 E3224 Typ. switching time inductive load , T = 125° par 600 ± ...
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BSM 35 GD 120 DN2 E3224 Forward characteristics of fast recovery I = f(V ) reverse diode F F parameter =125° ...
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BSM 35 GD 120 DN2 E3224 Gehäusemaße / Schaltbild Package outline / Circuit diagramm 9 2006-01-31 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...