MJE13005_06 ONSEMI [ON Semiconductor], MJE13005_06 Datasheet - Page 2

MJE13005_06

Manufacturer Part Number

MJE13005_06

Description

4 AMPERE NPN SILICON POWER TRANSISTOR 400 VOLTS − 75 WATTS

Manufacturer

ONSEMI [ON Semiconductor]

Datasheet

1.MJE13005_06.pdf (7 pages)

Current page: 2 of 7
Download datasheet (106Kb)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

2. Pulse Test: Pulse Width = 300 ms, Duty Cycle = 2%.

ELECTRICAL CHARACTERISTICS

OFF CHARACTERISTICS (Note 2)

SECOND BREAKDOWN

ON CHARACTERISTICS (Note 2)

DYNAMIC CHARACTERISTICS

SWITCHING CHARACTERISTICS

Collector−Emitter Sustaining Voltage

Collector Cutoff Current

Emitter Cutoff Current

Second Breakdown Collector Current with base forward biased

Clamped Inductive SOA with Base Reverse Biased

DC Current Gain

Collector−Emitter Saturation Voltage

Base−Emitter Saturation Voltage

Current−Gain − Bandwidth Product

Output Capacitance

Resistive Load (Table 2)

Delay Time

Rise Time

Storage Time

Fall Time

Inductive Load, Clamped (Table 2, Figure 13)

Voltage Storage Time

Crossover Time

Fall Time

CEV

= 10 mA, I

= 1 Adc, V

= 2 Adc, V

= 1 Adc, I

= 2 Adc, I

= 4 Adc, I

= 2 Adc, I

= 1 Adc, I

= 2 Adc, I

= 500 mAdc, V

= 9 Vdc, I

= 10 Vdc, I

= Rated Value, V

= 0.2 Adc)

= 0.5 Adc)

= 1 Adc)

= 0.5 Adc, T

= 0.2 Adc)

= 0.5 Adc)

= 0.5 Adc, T

= 0)

= 5 Vdc)

= 0, f = 0.1 MHz)

= 10 Vdc, f = 1 MHz)

Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î Î

BE(off)

Duty Cycle v 1%)

Characteristic

= 2 A, V

= I

= 0.4 A, V

= 100_C)

= 1.5 Vdc)

= 1.5 Vdc, T

= 125 Vdc, I

= 0.4 A, t

clamp

BE(off)

= 300 Vdc,

= 25_C unless otherwise noted)

= 100_C)

= 2 A,

= 25 ms,

= 5 Vdc, T

http://onsemi.com

= 100_C)

MJE13005

Î Î Î Î

Symbol

RBSOA

CEO(sus)

CE(sat)

BE(sat)

CEV

EBO

S/b

Î Î Î Î

Min

400

−

Î Î Î

Î Î Î Î Î Î Î Î

Î Î Î

0.025

0.32

0.16

Typ

0.3

1.7

0.4

0.9

−

Î Î Î Î

See Figure 12

See Figure 11

Max

0.5

0.6

1.2

1.6

1.5

0.1

0.7

0.9

−

Î Î Î

mAdc

MHz

Unit

Vdc

−

MJE13005_06 ONSEMI [ON Semiconductor], MJE13005_06 Datasheet - Page 2

MJE13005_06

Related parts for MJE13005_06