LP2996LQ National Semiconductor, LP2996LQ Datasheet - Page 9

• Manufacturer Part Number: LP2996LQ
• Description: DDR Termination Regulator
• Manufacturer: National Semiconductor

り ます。 多く のマザーボー ドでは、V
り 、 バス端のター ミ ネーシ ョ ン電圧はバスの他点よ り も低く なっ て しま
く ださい。この方法によ りバス全体の電圧が良好に保たれます。
した場合、 LP2996 の待機時消費電流は下が り ますが、 V
を推奨します。接合部温度がサーマル・シ ャ ッ ト ダウ ン温度超える
と、デバイ スはマニュアルでのシャ ッ ト ダウン時と同じ状態に入り 、
う問題が生じます。そこでバスの中点付近の電圧を V
リ に近接して実装する際は注意が必要です。 V
イ ズが重畳する とV
シ ャ ッ ト ダウ ン
を超える電圧を与えてはな り ません。 シ ャ ッ ト ダウ ン端子を LOW に
イ ン ピーダンスは内部リ フ ァ レンス電圧の生成のために100kΩで一
タ ーンオ ンする場合はシ ャ ッ ト ダウ ン端子を AV
る電源を与えて動作させるのも可能です。 V
えれば最大連続出力電流を増加させる こ とができ ます。ただ し、
に対する正確な追従が得られます。リモー ト ・センス と なる よ う に
ネーシ ョ ン抵抗に接続されます。このと き LP2996 の出力点で電
には V
シ ャ ッ ト ダウ ン端子を備えています。 シ ャ ッ ト ダウ ン中は V
る必要があ り ます。 詳細は「放熱」の項を参照してく ださい。
シ ャ ッ ト ダウ ン端子は内部でプルア ッ プされているため、デバイ ス を
端子説明
AV
AV
部回路の電源と して用いられます。PV
段専用電源です。アプリ ケーシ ョ ンによ っては両電源端子に異な
合 RSDON によ っ て出力が制限されますが、PV
PV
制約を受ける問題点が生じます。 SSTL-2 アプリ ケーシ ョ ンでは、
AV
短絡によ り 2 つの端子を個別にバイパスする必要はあ り ません。
入力電圧の選択に対する唯一の制約と して、 PV
でなければな り ません。 過度の内部電力消費によ る熱リ ミ ッ トへの
到達を防ぐため、PV
V
V
V
圧の生成に使われます。 リ フ ァ レ ンス電圧は 2 個の 50kΩ 内蔵抵
抗の分圧によ って生成されます。これによ って、V
V
DIMM 点の 2.5V を V
する と内部リ フ ァ レ ンス電圧は、電源配線での電圧降下の影響を
受けずに、 DDRメモリ部の電源電圧に正確に追従します。 SSTL-
2 アプリ ケーシ ョ ンで V
V
範囲の正確な値は「電気的特性」の表を参照して く ださい )。
V
本センス端子の目的は、遠端の負荷レギュ レーシ ョ ンの改善にあ
圧のセンス を行う と、長い配線によ って起こる大き な電圧降下によ
子に与え、 バス遠端で電圧が低下する問題を改善する よ う に して
遠端での負荷レギュ レーシ ョ ンを行わない場合は、V
合があ り ます。 V
サを設ける と、高周波数信号がフ ィ ルタ されるので、誤動作を防
げます。
LP2996 は、V
定です。そのため、シャ ッ ト ダウン時の総電力損失の計算では、
両方の電流 ( 待機時消費電流とV
放にします。
REF
DDQ
SENSE
DDQ
DDQ
TT
IN
IN
IN
IN
と して 1.25V が生成されます。 ( 温度に対する V
とPV
お よ び PV
はそのま ま維持されますが、V
および PV
に高電圧を与える と内部電力損失が増え、設計が熱的な
は入力で、V
端子に配線して く ださい。 AV
TT
を与えなければな り ません。 V
IN
を と も に 2.5Vレールに接続するのが最も妥当です。
TT
IN
SENSE
IN
は LP2996 の電源端子です。 AV
出力を TRI-STATE にする アク テ ィ ブ LOW の
TT
TT
IN
の正確な レギュ レーシ ョ ンに影響を与える場
DDQ
のレギュ レー ト に必要な内部リ フ ァ レンス電
DDQ
は 3.3V 以下の電圧レールに接続する こ と
端子の近く に 0.1μ F セラ ミ ッ ク・コ ンデン
は 2.5V なので、タ ー ミ ネーシ ョ ン電圧
に直接接続すればよいで し ょ う。こ う
TT
DDQ
TT
IN
は TRI-STATE にな り ます。
IN
は長い配線を通ってター ミ
または PV
SENSE
を流れる電流 )を考慮す
は、 V
TT
IN
信号の配線をメモ
TT
に近い電圧の場
IN
に接続するか開
IN
SENSE
TT
IN
生成用の出力
に高電圧を与
は AV
SENSE
IN
の代わ り に、
の V
TT
TT
は、全内
SENSE
配線にノ
に AV
IN
の変化
DDQ
DDQ
以下
端子
端
の
IN
/2
9
く して過度の電圧低下の発生を防いで く ださい。LP2996 は出力
ンサです。 V
と電流シンクの能力を備えています。LP2996 は、 高速応答によ っ
よ って推奨条件が異な り ます。アルミ電解コンデンサを用いた場
コ ンデンサが理想的といえ ます。なお、LP2996 が 2.5V DC-DC
コンバータの出力コンデンサの近く にレイ アウ ト されている場合は、
ンサを追加して も構いません。
ため、 シ ャ ッ ト ダウ ン時お よ びサーマル ・ シ ャ ッ ト ダウ ン時も アク テ ィ ブ
て最大± 3Aまでのピーク電流変動に対応でき る よ う に設計されて
います。最大連続電流は V
に記載されています。 最大連続電流定格を超える変動が長時間
にわた り見込まれるのであれば、出力コンデンサ容量を十分大き
ての条件の も とで、そのよ う な状況に長時間対応するのは困難で
えないよ う に注意が必要です。 熱に応じて、使用定格を適切に
プ・ポイ ン ト温度を下回る まで、V
あ り ません。ただ し大き な負荷変動時に入力電圧の低下を防ぐた
は、容量は 10μ F 前後と し、誘電体の温度特性が X5R 以上の
ズがカ ッ プリ ン グ しないよ う、AV
V
V
力は、ノースブリ ッ ジ・チッ プセ ッ ト と メモリ に対する リ フ ァ レンス電
圧と して使用します。 通常それらの入力のイ ン ピーダンスは高いの
で、V
子近く にバイパス ・ コンデンサを設ける と、 レギュ レーシ ョ ン性能が
改善されます。推奨品は 0.1μ F から 0.01μ F のセラ ミ ッ ク ・ コ ンデ
状態を維持します。
V
V
力です。V
電流の大き な変動に も耐え得る よ う に設計されていますが、すべ
す。その理由は、小型の標準パ ッ ケージを採用しているため、 過
大な内部電力損失によ って生じる熱を逃がせないためです。 長
時間にわた り大電流が求められる場合は、最大接合部温度を超
下げる よ う に して く ださい (「放熱」 を参照 )。接合部温度がサー
マル・シ ャ ッ ト ダウ ン・ポイ ン ト を超える と、ヒ シテリ シス を持つ ト リ ッ
部品の選択
入力コンデンサ
LP2996 は、入力安定化を 目的とする入力コ ンデンサは必要では
めに、入力コンデンサの使用を推奨します。 入力コンデンサは、
可能な限り PV
合、推奨容量は 50μ F です。セラ ミ ッ ク ・ コ ンデンサを用いる場合
入力コンデンサを省略しても構いません。 2 系統の電源レール
(AV
47μ F コ ンデンサを配置して く ださい。また、デバイ スに過度のノ イ
REF
TT
REF
TT
はバスのタ ー ミ ネーシ ョ ン抵抗に与え られる レギュ レー ト電圧出
IN
は内部リ フ ァ レンス電圧 V
REF
と PV
端子を流れる電流はわずかです。ノ イ ズ対策と して端
DDQ
IN
REF
) を使用する場合、PV
IN
/2 電圧に高い精度で追従し、併せて電流ソース
出力は、Suspend-to-RAM 機能をサポー ト する
の近く に配置します。アプリ ケーシ ョ ンの要件に
IN
の関数で、 「代表的な性能特性」
IN
DDQ
TT
端子に 0.1μ F セラ ミ ッ ク ・コ ンデ
/2 のバッ フ ァ出力です。本出
は TRI-STATE と な り ます。
IN
端子の可能な限り近 く に
www.national.com/jpn/