FP15R12KE3G Infineon Technologies, FP15R12KE3G Datasheet

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FP15R12KE3G

Manufacturer Part Number
FP15R12KE3G
Description
IGBT Transistors 1200V 15A PIM
Manufacturer
Infineon Technologies
Datasheet

Specifications of FP15R12KE3G

Configuration
Hex
Channel Type
N
Collector-emitter Voltage
1.2kV
Collector Current (dc) (max)
25A
Gate To Emitter Voltage (max)
±20V
Pin Count
24
Mounting
Screw
Operating Temperature (min)
-40C
Operating Temperature (max)
125C
Operating Temperature Classification
Automotive
Collector- Emitter Voltage Vceo Max
1200 V
Collector-emitter Saturation Voltage
1.7 V
Maximum Gate Emitter Voltage
+/- 20 V
Continuous Collector Current At 25 C
25 A
Gate-emitter Leakage Current
400 nA
Power Dissipation
100 W
Maximum Operating Temperature
+ 125 C
Package / Case
ECONO 2
Minimum Operating Temperature
- 40 C
Mounting Style
Screw
Packages
AG-ECONO2-1
Ic (max)
15.0 A
Vce(sat) (typ)
1.7 V
Technology
IGBT3
Housing
EconoPIM™ 2
Lead Free Status / RoHS Status
Compliant
Lead Free Status / RoHS Status
Lead free / RoHS Compliant, Compliant

Available stocks

Company
Part Number
Manufacturer
Quantity
Price
Part Number:
FP15R12KE3G
Manufacturer:
Infineon Technologies
Quantity:
135
Part Number:
FP15R12KE3G
Manufacturer:
COSEL
Quantity:
560
Part Number:
FP15R12KE3G
Manufacturer:
INFINEON/英飞凌
Quantity:
20 000
Part Number:
FP15R12KE3G
Quantity:
110
Diode Gleichrichter/ Diode Rectifier
Periodische Rückw. Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
Gleichrichter Ausgang Grenzeffektivstrom
maximum RMS current at Rectifier output
Dauergleichstrom
DC forward current
Stoßstrom Grenzwert
surge forward current
Grenzlastintegral
I
Transistor Wechselrichter/ Transistor Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Wechselrichter/ Diode Inverter
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
Grenzlastintegral
I
Transistor Brems-Chopper/ Transistor Brake-Chopper
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
prepared by: Andreas Schulz
approved by: Robert Severin
IGBT-Module
IGBT-Modules
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Technische Information / Technical Information
2
2
t - value
t - value
T
t
t
t
t
Tc = 80 °C
T
t
T
Tc = 80 °C
t
V
T
T
t
T
Tc = 80 °C
t
date of publication:10.08.2001
revision: 1
FP15R12KE3G
P
P
P
P
P
P
P
P
C
C
C
C
C
C
R
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 10 ms, T
= 1 ms,
= 1 ms
= 1 ms, T
= 1 ms
= 25°C
= 25°C
= 80°C
= 25 °C
= 80 °C
= 25 °C
= 0V, t
p
= 10ms, T
C
= 80°C
vj
vj
vj
vj
=
= 150°C
=
= 150°C
1(11)
25°C
25°C
vj
= 125°C
T
C
= 80 °C
I
RMSmax
I
I
V
V
V
V
V
C,nom.
I
C,nom.
I
I
I
I
P
P
FSM
CRM
FRM
CRM
FRM
RRM
I
I
CES
I
GES
I
CES
I
GES
I
I
2
2
C
C
d
tot
F
tot
F
t
t
Vorläufige Daten
Preliminary data
+/- 20V
+/- 20V
1600
1200
1200
315
260
500
340
100
60
15
15
25
30
15
30
60
10
18
20
80
10
20
DB-PIM-IGBT3_1.xls
A
A
A
W
W
V
A
A
A
A
V
A
A
A
V
A
A
V
A
A
A
V
A
A
2
2
2
s
s
s

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FP15R12KE3G Summary of contents

Page 1

... Periodischer Kollektor Spitzenstrom repetitive peak collector current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter-Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forw. current prepared by: Andreas Schulz approved by: Robert Severin FP15R12KE3G T = 80° ms 25° ms 150°C ...

Page 2

... Abschaltverzögerungszeit (ind. Last) turn off delay time (inductive load) Fallzeit (induktive Last) fall time (inductive load) Einschaltverlustenergie pro Puls turn-on energy loss per pulse Abschaltverlustenergie pro Puls turn-off energy loss per pulse Kurzschlußverhalten SC Data FP15R12KE3G RMS Hz min. NTC connected to Baseplate T = 150° 150° ...

Page 3

... Switching losses and conditions Diode Brems-Chopper/ Diode Brake-Chopper Durchlaßspannung forward voltage Schaltverluste und -bedingungen Switching losses and conditions NTC-Widerstand/ NTC-Thermistor Nennwiderstand rated resistance Abweichung von R 100 deviation of R 100 Verlustleistung power dissipation B-Wert B-value FP15R12KE3G T = 25° 0V 25° 0V 125°C, I ...

Page 4

... Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung mounting torque Gewicht weight FP15R12KE3G Gleichr. Diode/ Rectif. Diode Trans. Wechsr./ Trans. Inverter Diode Wechsr./ Diode Inverter Trans. Bremse/ Trans. Brake Diode Bremse/ Diode Brake Gleichr. Diode/ Rectif. Diode =1W/m*K Paste Trans ...

Page 5

... Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical Tvj = 25°C Tvj = 125° 0,5 1 Ausgangskennlinienfeld Wechselr. (typisch) Output characteristic Inverter (typical) 30 Vge=19V Vge=17V 25 Vge=15V Vge=13V Vge=11V 20 Vge= 0,5 1 FP15R12KE3G 1 125°C vj 1 [V] CE 5(11) Vorläufige Daten Preliminary data ) CE ...

Page 6

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Übertragungscharakteristik Wechselr. (typisch) Transfer characteristic Inverter (typical Durchlaßkennlinie der Freilaufdiode Wechselr. (typisch) Forward characteristic of FWD Inverter (typical 25° 125° 0,5 FP15R12KE3G I C Tj=25°C Tj=125° [ 1 [V] F 6(11) Vorläufige Daten Preliminary data = ...

Page 7

... Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 7 Eon 6 Eoff Erec Schaltverluste Wechselr. (typisch) Switching losses Inverter (typical) 3 Eon 2,5 Eoff Erec 2 1 FP15R12KE3G off T = 125° ± [ off T = 125° +- 7(11) Vorläufige Daten ...

Page 8

... Transienter Wärmewiderstand Wechselr. Transient thermal impedance Inverter 10 Zth-IGBT Zth-FWD 1 0,1 0,01 0,001 0,01 Sicherer Arbeitsbereich Wechselr. (RBSOA) Reverse bias save operating area Inverter (RBSOA IC,Modul 25 IC,Chip 200 FP15R12KE3G Z thJC 0 400 600 800 V [V] CE 8(11) Vorläufige Daten Preliminary data = f ( 125° ± ...

Page 9

... IGBT-Modules Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) 14 Tvj = 25°C 12 Tvj = 125° 0,5 1 Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) Forward characteristic of brake-chopper-FWD (typical 0,5 1 FP15R12KE3G 1 25° 125°C 1,5 2 2,5 V [V] F 9(11) Vorläufige Daten Preliminary data 3,5 4 4,5 ...

Page 10

... IGBT-Module IGBT-Modules Durchlaßkennlinie der Gleichrichterdiode (typisch) Forward characteristic of Rectifier Diode (typical 0,2 0,4 NTC- Temperaturkennlinie (typisch) NTC- temperature characteristic (typical) 100000 10000 1000 100 FP15R12KE3G 25° 150°C 0 (T) Rtyp 60 80 100 T [°C] C 10(11) Vorläufige Daten Preliminary data = f (V ...

Page 11

... Gehäuseabmessungen/ Package outlines Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics valid in combination with the belonging technical notes. FP15R12KE3G ...

Page 12

Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produkte s für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen ...

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