K4H561638H-ZPB3 Samsung Semiconductor, K4H561638H-ZPB3 Datasheet - Page 5

• Manufacturer Part Number: K4H561638H-ZPB3
• Manufacturer: Samsung Semiconductor

Specifications of K4H561638H-ZPB3

• Lead Free Status / Rohs Status: Compliant

K4H561638H
4.0 Pin Description
16M x 16
Note :
1. In case of only 8 or 4 DQs out of 16 DQs are used, UDQS and DQ0~7 must be used.
1
2
3
7
8
9
VDDQ
VSSQ
DQ15
VSS
VDD
DQ0
A
VDDQ
VSSQ
DQ14
DQ13
DQ2
DQ1
B
DM is internally loaded to match DQ and DQS identically.
Organization
VSSQ
VDDQ
DQ12
DQ11
16Mx16
DQ4
DQ3
C
Row & Column address configuration
AP/A10
VDDQ
VDDQ
VDDQ
VSSQ
VSSQ
LDQS
VDD
VDD
LDM
VDD
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
CAS
RAS
BA0
BA1
WE
NC
NC
NC
CS
NC
VDDQ
A0
A1
A2
A3
VSSQ
DQ10
DQ9
DQ6
DQ5
D
256Mb TSOP-II Package Pinout
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
UDQS
VDDQ
VSSQ
LDQS
DQ8
DQ7
E
(0.65mm Pin Pitch)
16Mb x 16
Row Address
(400mil x 875mil)
Auto Precharge
Bank Address
66Pin TSOPII
A0~A12
BA0~BA1
VREF
UDM
VSS
LDM
VDD
NC
A10
F
CAS
WE
CK
CK
G
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
CKE
RAS
A12
CS
H
Column Address
VSS
DQ15
VSSQ
DQ14
DQ13
VDDQ
DQ12
DQ11
VSSQ
DQ10
DQ9
VDDQ
DQ8
NC
VSSQ
UDQS
NC
VREF
VSS
UDM
CK
CK
CKE
NC
A12
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
A0-A8
Industrial
BA1
BA0
A11
A9
J
Rev. 1.3 February 2007
A10/AP
A8
A7
A0
K
DDR SDRAM
A6
A5
A2
A1
L
VDD
VSS
A4
A3
M