is43dr16320b3dbi Integrated Silicon Solution, Inc., is43dr16320b3dbi Datasheet - Page 12

no-image

is43dr16320b3dbi

Manufacturer Part Number
is43dr16320b3dbi
Description
512mb X8, X16 Ddr2 Sdram
Manufacturer
Integrated Silicon Solution, Inc.
Datasheet
IS43/46DR86400B, IS43/46DR16320B  
required.  The  addressing  is  generated  by  the  internal  refresh  controller.  This  makes  the  address  bits  a  “Don’t  Care”  during  a 
REFRESH command. 
SELF REFRESH 
The SELF REFRESH command can be used to retain data in the DDR2 SDRAM, even if the rest of the system is powered down. When 
in the self refresh mode, the DDR2 SDRAM retains data without external clocking. All power supply inputs (including VREF) must be 
maintained at valid levels upon entry/exit and during SELF REFRESH operation. 
The  SELF  REFRESH  command  is  initiated  like  a  REFRESH  command  except  CKE  is  LOW.  The  DLL  is  automatically  disabled  upon 
entering self refresh and is automatically enabled upon exiting self refresh. 
ODT (On‐Die Termination) 
The  On‐Die  Termination  feature  allows  the  DDR2  SDRAM  to  easily  implement  an  internal  termination  resistance  (Rtt).  For  the  x8 
option, ODT can be configured for DQ[7:0], DQS, DQS#, DM, RDQS, and RDQS# signals. For the x16 option, ODT can be configured for 
DQ[15:0],  UDQS,  LDQS,  UDQS#,  LDQS#,  and  UDM,  and LDM  signals.  The ODT  feature  can  be  configured  with  the  Extended  Mode 
Register Set (EMRS) command, and turned on or off using the ODT input signal. Before and after the EMRS is issued, the ODT input 
must be received with respect to the timings of tAOFD, tMOD(max), tAOND; and the CKE input must be held HIGH throughout the 
duration of tMOD(max). 
The  DDR2 SDRAM  supports the  ODT  on  and  off  functionality  in  Active,  Standby,  and Power  Down modes,  but  not  in  Self Refresh 
mode. ODT timing diagrams follow for Active/Standby mode and Power Down mode. 
EMRS to ODT Update Delay 
ODT Timing for Active/Standby (Idle) Mode and Standard Active Power‐Down Mode 
Notes: 
1.
2.
3.
Integrated Silicon Solution, Inc. – www.issi.com –
Rev. C, 8/17/2010
Command
Internal Term.
Both ODT to Power Down Entry and Exit Latency timing parameter tANPD and tAXPD are met, therefore Non‐Power Down Mode timings have to be applied. 
ODT turn‐on time, tAON(Min) is when the device leaves high impedance and ODT resistance begins to turn on. ODT turn on time max, tAON(Max) is when the 
ODT resistance is fully on. Both are measured from tAOND. 
ODT turn off time min, tAOF(Min), is when the device starts to turn off the ODT resistance. ODT turn off time max, tAOF(Max) is when the bus is in high 
impedance. Both are measured from tAOFD.
Resistance
ODT
CK#
CK
ODT
CKE
CK#
CK
tAOFD
~
~
~
Old Setting
tIS
~
~
~
~
EMRS
tMOD(Min)
0
tAXPD
1
NOP
VIH(AC)
tMOD(Max)
tIS
2
NOP
tAOND
3
tAON(Min)
VIL(AC)
tIS
NOP
4
tAON(Max)
5
tAOFD
ODT Ready
RTT
tIS
NOP
tANPD
tAOF(Min)
6
tAOND
~
~
~
NOP
tAOF(Max)
tIS
Updated
7
12

Related parts for is43dr16320b3dbi