FZ1200R12KF4 Infineon Technologies, FZ1200R12KF4 Datasheet
FZ1200R12KF4
Specifications of FZ1200R12KF4
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FZ1200R12KF4 Summary of contents
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Marketing Information FZ 1200 screwing depth max European Power- Semiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG 61,5 M8 130 114 ...
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FZ 1200 R 12 KF4 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung Kollektor-Dauergleichstrom Periodischer Kollektor Spitzenstrom Gesamt-Verlustleistung Gate-Emitter-Spitzenspannung Dauergleichstrom Periodischer Spitzenstrom Isolations-Prüfspannung Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor Kollektor-Emitter Sättigungsspannung Gate-Schwellenspannung Eingangskapazität Kollektor-Emitter Reststrom Gate-Emitter ...
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... Collector-emitter-voltage in saturation region (typical) Tvj = 125 °C 2500 125 ° °C C 2000 [ A ] 1500 1000 500 FZ1200R12KF4 Bild/Fig. 4 Rückwärts-Arbeitsbereich Reverse biased safe operating area 1200 R12 KF4 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 200 400 600 800 = 125 ° 0, 15V V GE =20V ...
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... FZ1200R12KF4 Bild/Fig. 5 Transienter innerer Wärmewiderstand (DC) Transient thermal impedance (DC) 2500 i F 2000 Diode [ A ] IGBT 1500 1000 500 - 0.5 1.0 1.5 FZ1200R12KF4 Bild/Fig. 6 Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch) Forward characteristic of the inverse diode (typical ° 125 ° 1200 R12 KF4 2.0 2.5 3 ...
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Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. ...